[发明专利]一种触控传感器及触控传感器的制备方法

权利要求书

1.一种触控传感器，其特征在于，所述触控传感器包括多个传感器单元，所述传感器单元包括：第一基板、绝缘层、第一电极层、第一电阻、触摸板、第二电极层和第二电阻；

所述绝缘层覆盖于所述第一基板表面，所述第一电极层覆盖于所述绝缘层表面；多个所述第一电阻设置于所述第一电极层上；

所述第二电极层覆盖于所述触摸板表面；多个所述第二电阻设置于所述第二电极层上；

所述触摸板与所述第一基板平行设置，所述第一电阻远离所述第一电极层的表面为第一表面，所述第二电阻远离所述第二电极层的表面为第二表面，当所述第一电极层与所述第二电极层组装完成后，所述第一表面与所述第二表面之间的间距为电阻间距，各个所述电阻间距均不同，当所述触摸板受到指向所述第一基板的力时，所述第一表面与所述第二表面接触；各所述第一电阻的厚度相同，各所述第二电阻的厚度依次减小或增大；或各所述第二电阻的厚度相同，各所述第一电阻的厚度依次减小或增大。

2.根据权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述第一电极层的材料为钼、铝、银、氧化铟锡中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述第二电极层的材料为钼、铝、银、氧化铟锡中的至少一种。

5.一种触控传感器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

选择一个洁净的玻璃基板作为第一基板；

在所述第一基板上采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层薄膜得到绝缘层；所述绝缘层材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝中的至少一种；

在所述绝缘层表面采用磁控溅射技术生长一层金属材料，得到第一电极层；所述金属材料为钼、铝、银、氧化铟锡中的至少一种；

在所述第一电极层表面采用磁控溅射技术溅射电阻材料，加工得到第一电阻；所述第一基板、所述绝缘层、所述第一电极层、所述第一电阻组成第一极板；

在另一个洁净的玻璃基板上加工得到触摸板；

在所述触摸板表面采用磁控溅射技术生长一层金属材料，得到第二电极层；所述金属材料为钼、铝、银、氧化铟锡中的至少一种；

在所述第二电极层表面加工得到第二电阻；所述触摸板、所述第二电极层、所述第二电阻组成第二极板；

将所述第一极板和所述第二极板进行组装，所述触摸板与所述第一基板平行设置，所述第一电阻远离所述第一电极层的表面为第一表面，所述第二电阻远离所述第二电极层的表面为第二表面，当所述第一电极层与所述第二电极层组装完成后，所述第一表面与所述第二表面之间的间距为电阻间距，各个所述电阻间距均不同，当所述触摸板受到指向所述第一基板的力时，所述第一表面与所述第二表面接触；各所述第一电阻的厚度相同，各所述第二电阻的厚度依次减小或增大；或各所述第二电阻的厚度相同，各所述第一电阻的厚度依次减小或增大。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层表面加工得到第一电阻，具体包括：

采用磁控溅射技术在所述第一电极层表面溅射一层电阻材料；

在所述电阻材料上旋涂光刻胶，然后经过光刻、显影、烘烤形成具有一定形状的电阻光刻胶图层；

在所述电阻光刻胶图层上进行湿法刻蚀，得到目标电阻图形；

采用剥离液将所述目标电阻图形上的光刻胶去除。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二电极层表面采用磁控溅射技术溅射电阻材料，加工得到第二电阻，具体包括：

采用磁控溅射技术在所述第二电极层表面溅射一层电阻材料；

采用剥离液将目标电阻图形上的光刻胶去除。