[发明专利]半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：衬底，形成在所述衬底上的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域。更具体地，涉及一种半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法。

背景技术

光检测技术被应用于包括半导体器件的显示领域。例如，外部光源会影响屏幕的视觉效果，因此，根据外部光源的亮度来调整屏幕的光源的亮度可以改善屏幕的视觉效果。

光学检测器可以用于指纹识别技术。对于采用光学探测器的指纹识别，对光学探测器件要求较高，其需要较大的光探测面积以能够探测较高的光电流。尤其是将指纹识别技术集成在TFT-LCD显示屏上，对光探测要求会更高。

发明内容

本发明的实施例提供一种半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法，能够解决现有技术中光检测不能和薄膜晶体管有效的集成的问题，且能够增加器件的感光面积而不影响开口率。

本发明的第一方面提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，形成在所述衬底上的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。

在一个实施例中，所述第一光敏部具有底表面、顶表面、朝向所述薄膜晶体管的第一侧表面和远离所述薄膜晶体管的第二侧表面，所述半导体器件还包括：设置在所述薄膜晶体管和所述第一光检测结构之间的第一间隔层，其中，所述第一间隔层覆盖所述第一侧表面并且将所述源极电极和漏极电极中的所述一者与所述第一底电极间隔开。

在一个实施例中，所述半导体器件还包括与所述第一光检测结构的第二侧表面相邻的第二光检测结构，其中，所述第二光检测结构包括第二底电极、第二顶电极和设置在所述第二底电极和所述第二顶电极之间的第二光敏部，其中，所述第二底电极和与所述第一底电极是一体的；所述第二光敏部在所述第二侧表面上延伸。

在一个实施例中，所述半导体器件还包括：设置在所述第一光检测结构和所述第二光检测结构之间的第二间隔层，其中，所述第二间隔层覆盖所述第二侧表面并且将所述第一顶电极与所述第二光敏部间隔开。

在一个实施例中，所述半导体器件还包括绝缘层，其中，所述绝缘层具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分被设置在所述薄膜晶体管的有源层和栅极之间，所述第二部分覆盖在所示第一顶电极上，所述第三部分覆盖在所述第二光敏部上。

在一个实施例中，所述第一光敏部包括可见光敏感材料，所述第一顶电极包括透明导电材料。

在一个实施例中，所述第一光敏部包括PIN光敏结构。

在一个实施例中，所述第二光敏部包括紫外光敏感材料，所述第二顶电极包括透明导电材料。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管的有源层和所述第二光检测结构的第二感光部包括铟镓锌氧化物。

本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板。

本发明的第二方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括如上缩短的半导体器件。

本发明的又一个目的在于提供一种半导体器件的制造方法。