[发明专利]半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：衬底，形成在所述衬底上的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，

所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；

所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一光敏部具有底表面、顶表面、朝向所述薄膜晶体管的第一侧表面和远离所述薄膜晶体管的第二侧表面，所述半导体器件还包括：

设置在所述薄膜晶体管和所述第一光检测结构之间的第一间隔层，其中，所述第一间隔层覆盖所述第一侧表面并且将所述源极电极和漏极电极中的所述一者与所述第一底电极间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括与所述第一光检测结构的第二侧表面相邻的第二光检测结构，其中，

所述第二光检测结构包括第二底电极、第二顶电极和设置在所述第二底电极和所述第二顶电极之间的第二光敏部，其中，

所述第二底电极和与所述第一底电极是一体的；

所述第二光敏部在所述第二侧表面上延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

设置在所述第一光检测结构和所述第二光检测结构之间的第二间隔层，其中，所述第二间隔层覆盖所述第二侧表面并且将所述第一顶电极与所述第二光敏部间隔开。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件还包括绝缘层，其中，所述绝缘层具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分被设置在所述薄膜晶体管的有源层和栅极之间，所述第二部分覆盖在所示第一顶电极上，所述第三部分覆盖在所述第二光敏部上。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一光敏部包括可见光敏感材料，所述第一顶电极包括透明导电材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一光敏部包括PIN光敏结构。

8.根据权利要求3-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二光敏部包括紫外光敏感材料，所述第二顶电极包括透明导电材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述薄膜晶体管的有源层和所述第二光检测结构的第二感光部包括铟镓锌氧化物。

10.一种阵列基板，包括根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件。

11.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，

所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；

所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，所述方法还包括：形成与所述第一光检测结构的第二侧表面相邻的第二光检测结构，其中，所述第二光检测结构包括第二底电极、第二顶电极和设置在所述第二底电极和所述第二顶电极之间的第二光敏部，其中，

所述第二底电极和与所述第一底电极是一体的；

所述第二光敏部在所述第二侧表面上延伸。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述薄膜晶体管与所述第二光检测结构被同时形成。