[发明专利]静态随机存取记忆体装置

权利要求书

1.一种静态随机存取记忆体装置，其特征在于，包括：

一外围逻辑电路；

多个双端口静态随机存取记忆胞，各所述双端口静态随机存取记忆胞包括：一写入端口部，包括一第一群晶体管；以及一读取端口部，包括一第二群晶体管；

一第一群金属线，包括一写入位线、一反向写入位线、一读取位线、一写入字符线连接垫与一读取字符线连接垫，其中所述第一群金属线位于一第一金属层中；

一第二群金属线，包括一写入字符线，其中所述第二群金属线位于一第二金属层中；

一第三群金属线，包括一全域写入位线与一反向全域写入位线，其中所述第三群金属线位于一第三金属层中；以及

多个跨接结构，各所述跨接结构包括：一第一金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述写入位线和所述全域写入位线；一第二金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述反向写入位线和所述反向全域写入位线；以及一第三金属连接垫，位于所述第二金属层中，且电性连接至所述读取位线与所述外围逻辑电路的一外围金属线，所述外围金属线位于所述第一金属层中。

2.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述外围逻辑电路包括具有一第一间距的并列金属线，且所述第一、第二与第三金属连接垫的各者皆具有一大于第一间距的两倍的宽度。

3.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述多个双端口静态随机存取记忆胞被排列成多栏和多行，从而形成一双端口静态随机存取记忆体阵列，所述写入位线、所述反向写入位线、所述读取位线、所述全域写入位线与所述反向全域写入位线是布局在一方向上，所述方向与所述栏的方向平行，所述栏的各者包括至少一跨接结构。

4.如权利要求3所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述跨接结构包括第一跨接结构以及第二跨接结构，所述第一跨接结构延伸跨越所述双端口静态随机存取记忆体阵列的第一边缘，所述第二跨接结构延伸跨越与所述第一边缘相对的第二边缘。

5.如权利要求3所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述跨接结构包括第一跨接结构，所述第一跨接结构延伸跨越所述双端口静态随机存取记忆体阵列的第一边缘。

6.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述写入位线、所述反向写入位线、所述全域写入位线、所述反向全域写入位线与所述读取位线是被布线在一第一布线方向上，所述写入字符线是被布线在垂直于所述第一布线方向一第二布线方向上，且所述全域写入位线的宽度至少为所述写入位线的宽度的1.2倍。

7.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述第一群晶体管包括一第一和第二上拉晶体管以及一第一和第二下拉晶体管，所述第一和第二上拉晶体管以及所述第一和第二下拉晶体管被配置作为一对交叉耦合的反相器，所述第二群晶体管包括一第三下拉晶体管，所述第一群金属线还包括一第一返回电压线，一第二返回电压线与一电源电压线，所述第一返回电压线电性连接到所述第一下拉晶体管的源极端子，所述第二返回电压线电性连接到所述第二和第三下拉晶体管的源极端子，所述电源电压线电性连接到所述第一和第二上拉晶体管的源极端子。

8.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述第二群晶体管包括一第三通闸晶体管，且位于所述第二金属层中的所述第二群金属线还包括连接到所述第三通闸晶体管的一栅极端子的一读取字符线。

9.如权利要求1所述的静态随机存取记忆体装置，其中所述第二群晶体管包括一第三通闸晶体管以及所述双端口静态随机存取记忆胞的各者还包括连接到所述第三通闸晶体管的一栅极端子的一读取字符线，所述读取字符线位于一第四金属层中，且被布线在与所述写入字符线相同的方向，所述读取字符线的宽度至少为所述写入字符线的宽度的1.5倍。