[发明专利]用于提供可平坦化的工件支承件的方法、工件平坦化装置和卡盘

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月10日提交的美国申请No.15/065,914以及于2017年3月1日提交的美国申请No.15/446,059的优先权，上述两个申请的全部内容通过参引并入本文。

技术领域

多个不同的实施方案一般性地涉及用于提供可平坦化的工件支承件的方法、工件平坦化装置(arrangement)和卡盘。

背景技术

通常，可以在基底(也称为晶片或载体)之上或之中以半导体技术来加工半导体材料，例如以制造集成电路(也称为芯片)。在加工半导体材料期间，可以应用某些处理步骤，如减薄晶片、掺杂半导体材料或在晶片之上形成一个或更多个层。

通常，将晶片减薄以从集成电路的背面移除多余的材料，直到集成电路具有影响其电子效率的预定厚度为止。为了将所有集成电路精确地减薄至相同的厚度，集成电路可能需要平行于减薄平面对准。为了对准集成电路，可以将晶片结合到平坦化封装件中，该平坦化封装件被平坦化以提供两个几乎面平行的表面，这实现了晶片的所有集成电路的精确减薄。

为了使两个几乎面平行的表面的偏差尽可能小，其上设置有平坦化封装件的卡盘可以在平坦化期间被调整至平坦化封装件被平坦化的平面。在该过程期间，卡盘可以通过自平坦化工艺面平行于平坦化平面对准。

通常，由于工艺本身固有的技术上的偏差，自平坦化工艺在其精度方面受到限制。因此，平坦化封装件的几乎面平行的表面可以彼此偏离高达自平坦化工艺的最大精度。因而对于使集成电路的所得厚度的偏差(也称为总厚度偏差)尽可能小而言可能受限，例如，在300mm晶片直径的情况下大于约2μm。总厚度偏差可能无法被随后校正，并且可以被转移到进一步的处理步骤中。以示例的方式，易于制造的芯片的总厚度偏差的稳定性可以被限制为约±3μm，这例如是跨越多个经加工的晶片或晶片中的多个经加工的芯片而测量的。

发明内容

根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化以及对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化，其中所述卡盘的至少一个部分包括颗粒、孔和/或聚合物中的至少一者。

附图说明

在附图中，贯穿不同视图相同的附图标记一般指代相同的部件。附图不一定按比例绘制，而是通常重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中，参照以下附图对本发明的多个不同的实施方案进行描述，在附图中：

图1示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置的示意性俯视图；

图2至图4以示意性截面图或侧视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置；

图5以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；

图6A和图6B以示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；

图7A和图7B以示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；

图8A以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件-支承件；

图8B和图9以示意性截面图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；

图10A以示意性截面图的方式示出了可替换工件-支承件，图10B以相应的俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的可替换工件-支承件；

图11和图12以示意性流程图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；

图13A和图13B以示意性截面图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置；

图14至图16以示意性流程图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；

图17A和图17B以示意性透视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；

图18以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；

图19至图20以示意性截面图或侧视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；

图21A和图21B以示意性透视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件-支承件；以及

图22A和图22B以多个不同的示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置。

图23A至图23C以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使工件-支承件平坦化的方法中的工件-支承件。

具体实施方式