[发明专利]扫描极化力显微镜成像对比度的调控方法

权利要求书

1.一种扫描极化力显微镜成像对比度的调控方法，其特征在于，包括步骤：

将纳米材料制备在衬底表面上，获得待测样品；

控制测试环境的相对湿度在10％～90％范围内逐渐变化，并利用扫描极化力显微镜对所述待测样品进行表征测试，获得扫描极化力显微镜图片；其中，在所述扫描极化力显微镜图片中，所述纳米材料的表观高度随相对湿度的变化而变化，且出现正值和负值间的转变；

在所述扫描极化力显微镜图片中挑选所述纳米材料的表观高度为0nm时所对应的相对湿度，确定为临界湿度点；

选取低于临界湿度点的相对湿度作为所述待测样品的成像对比度的合适测试湿度。

2.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，当测试环境的相对湿度在10％～90％范围内逐渐变化时，所述衬底的介电常数发生变化，且所述纳米材料的介电常数介于所述衬底的介电常数的变化范围内。

3.根据权利要求2所述的调控方法，其特征在于，所述衬底的材料为云母。

4.根据权利要求2所述的调控方法，其特征在于，所述纳米材料选自氧化石墨烯、还原态氧化石墨烯中的任意一种。

5.一种扫描极化力显微镜成像对比度的调控方法，其特征在于，包括步骤：

将至少两种纳米材料制备在同一衬底表面上，获得待测样品；

控制测试环境的相对湿度在10％～90％范围内逐渐变化，并利用扫描极化力显微镜对所述待测样品进行表征测试，获得扫描极化力显微镜图片；其中，在所述扫描极化力显微镜图片中，至少一种所述纳米材料的表观高度随相对湿度的变化而变化，且出现正值和负值间的转变；

在所述扫描极化力显微镜图片中挑选每一种所述纳米材料的表观高度为0nm时所对应的相对湿度，并将最低的相对湿度确定为临界湿度点；

选取低于临界湿度点的相对湿度作为所述待测样品的成像对比度的合适测试湿度。

6.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，当测试环境的相对湿度在10％～90％范围内逐渐变化时，所述衬底的介电常数发生变化，且至少一种所述纳米材料的介电常数介于所述衬底的介电常数的变化范围内。

7.根据权利要求6所述的调控方法，其特征在于，所述衬底的材料为云母。

8.根据权利要求6所述的调控方法，其特征在于，所述至少两种纳米材料之间形貌相同、且电学性质不同。

9.根据权利要求8所述的调控方法，其特征在于，所述纳米材料选自氧化石墨烯、还原态氧化石墨烯、石墨烯、多壁碳纳米管。