[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第一及第二平面，分别包含存储单元阵列；以及

第一及第二控制电路，能够分别对所述第一及第二平面执行读出动作；且

所述第一及第二控制电路包含能够执行所述读出动作的有效状态、及禁止所述读出动作的执行的闲置状态，

在所述第一控制电路为所述有效状态，且所述第二控制电路为所述闲置状态时，

在从外部的控制器接收到第一指令集的情况下，所述第一控制电路执行相对于所述第一平面的第一读出动作，

在从所述控制器接收到第二指令集的情况下，所述第一控制电路执行相对于所述第二平面的第二读出动作，

在从所述控制器接收到不包含在所述第一及第二指令集的任一者中的第一指令，且依次接收所述第一及第二指令集的情况下，所述第二控制电路从所述闲置状态过渡至所述有效状态，在所述第一控制电路执行所述第一读出动作的期间，所述第二控制电路开始所述第二读出动作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在从所述控制器接收到所述第一指令，且依次接收到所述第二及第一指令集的情况下，所述第二控制电路从所述闲置状态过渡至所述有效状态，在所述第一控制电路执行所述第二读出动作的期间，所述第二控制电路开始所述第一读出动作。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第一控制电路能够对所述第一及第二平面执行写入动作，

在所述第一控制电路为所述有效状态，且所述第二控制电路为所述闲置状态时，

在从所述控制器接收到第三指令集的情况下，所述第一控制电路执行相对于所述第一平面的第一写入动作，

在从所述控制器接收到所述第一指令，且依次接收所述第三及第二指令集的情况下，所述第二控制电路从所述闲置状态过渡至所述有效状态，在所述第一控制电路执行所述第一写入动作的期间，所述第二控制电路开始所述第二读出动作。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第一多工器，在执行所述第一读出动作时，将来自所述第一或第二控制电路的控制信号输出至所述第一平面；以及

第二多工器，在执行所述第二读出动作时，将来自所述第一或第二控制电路的控制信号输出至所述第二平面。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第一多工器，在执行所述第一写入动作时，将来自所述第一控制电路的控制信号输出至所述第一平面；以及

第二多工器，在执行相对于所述第二平面的第二写入动作时，将来自所述第一控制电路的控制信号输出至所述第二平面。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

N个(N为1以上的整数)平面，分别包含存储单元阵列；以及

N个多工器，分别与N个平面对应；且

来自所述第一控制电路的控制信号经由所述N个多工器而分别输出至所述N个平面，

来自所述第二控制电路的控制信号经由所述N个多工器而分别输出至所述N个平面。