[发明专利]一种纳米铜离子差异化锦纶切片的制备方法

权利要求书

1.一种纳米铜离子差异化锦纶切片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、将所需材料打入预聚混合器，混合之后送入预聚合塔中；

步骤2、在预聚合塔中控制温度在244℃至246℃之间，压力控制为1500mbarg，反应完成后将其打入终聚合塔；

步骤3、控制终聚合塔温度在242℃至246℃之间，压力控制在1050mbara至1060mbara之间，反应后得到熔体，并将熔体打入熔体过滤器；

步骤4、之后经过切粒机切粒得到湿的差异化锦纶切片，之后进行脱单处理；

步骤5、将脱单处理后的差异化锦纶切片进行萃取，之后将萃取后的差异化切片经过干燥塔进行干燥，干燥后的差异化切片经送料泵送入冷却塔进行冷却，冷却温度控制在42℃至46℃之间，最后制得所需的差异化锦纶切片；

在步骤1中将纳米铜离子差异化改性剂打入预聚混合器中，或者步骤3中的熔体中加入纳米铜离子差异化改性剂。

2.根据权利要求1所述的一种纳米铜离子差异化锦纶切片的制备方法，其特征在于：所述步骤4中脱单处理为：通过用水对湿差异化切片进行脱单处理，将差异化切片中的单体和低聚物脱除，使其在切片中的含量降至0.5％以内。

3.如权利要求1所述的一种纳米铜离子差异化锦纶切片的制备方法，其特征在于：所述步骤5中萃取过程中差异化切片同萃取水的比例控制在1:1.2至1：1.3之间，萃取温度不超过120℃。

4.如权利要求1所述的一种纳米铜离子差异化锦纶切片的制备方法，其特征在于：所述步骤5中将萃取后的差异化切片经过干燥塔进行干燥进一步具体为；在干燥塔中采用加热氮气分上下两段循环进行干燥，上段温度控制在124℃至128℃之间，风量为10200立方米每小时至10300立方米每小时之间；下段温度控制在123℃至127℃之间，风量为7300立方米每小时至7400立方米每小时之间；干燥压力控制在1100mbar至1110mbar之间。