[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201710139648.0 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN107180900B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 梁钟隣;朱铜爀;金镇夏;全埈佑;郭重熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/46 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
发光器件包括:发射结构;设于发射结构上的电流阻挡层;设于电流阻挡层上的反射层;覆盖反射层的保护层;以及设于保护层上的电极层。
相关申请的交叉引用
2016年3月11日在韩国知识产权局提交的题为“用于改善电流扩散特性和光提取效率的发光二极管(LED)器件”的韩国专利申请No.10-2016-0029665通过引用以其全文结合在此。
技术领域
实施例涉及一种发光二极管(LED)器件,更具体地,涉及一种用于改善电流扩散特性和光提取效率的LED器件。
背景技术
LED器件由于其低功耗和高亮度等特性而可以被广泛用作光源。LED器件需要具有高发射可靠性。为了实现高亮度和优秀的发光效率,必须改善LED器件的电流扩散特性和光提取效率。
发明内容
一个或更多个实施例提供了一种发光器件,包括:发射结构;设于发射结构上的电流阻挡层;设于电流阻挡层上的反射层;配置为覆盖反射层的保护层;以及设于保护层上的电极层。
一个或更多个实施例提供了一种发光器件,包括:发射结构,包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;设于发射结构的一定区域上的第一电流阻挡层;设于第一电流阻挡层上的第一反射层;配置为覆盖第一反射层的第一保护层;第一电极层,设于第一保护层上并与第二导电类型半导体层电连接;以及第二电极层,设于发射结构的其他区域上并与第一导电类型半导体层电连接。
一个或更多个实施例提供了一种发光器件,包括:发射结构,包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;第一电流阻挡层,设于发射结构的一定区域上并包括露出发射结构的第一接触孔;第一反射层,设于第一电流阻挡层上并经由第一接触孔与第二导电类型半导体层电连接;第一保护层,配置为覆盖第一反射层并包括露出第一反射层的第二接触孔;第一电极层,设于第一保护层上并与第二导电类型半导体层电连接;以及第二电极层,设于发射结构的其他区域上并与第一导电类型半导体层电连接。
一个或更多个实施例提供了一种发光器件,包括:发射结构,包括在第一方向上堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;电流阻挡层,设于第一区域中的发射结构上;反射层,设于电流阻挡层上;第一电极层,设于反射层上并且与第二导电类型半导体层电连接;以及第二电极层,设于发射结构的第二区域上并与第一导电类型半导体层电连接,其中第二区域沿着与第一方向正交的第二方向与第一区域间隔开。
附图说明
通过参考附图详细描述示例实施方案,本领域技术人员将清楚各种特征,附图中:
图1示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图2示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图3示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图4和5示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图6示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图7示出了根据一个实施例的发光器件的截面图;
图8示出了根据一个实施例的发光器件的平面图;
图9至15示出了用于描述在制造图4和5的发光器件的方法中的一些阶段的截面图;
图16至20示出了用于描述在制造图7的发光器件的方法中的一些阶段的截面图;
图21和22示出了根据一个实施例的包括发光器件的白光光源模块的示意截面图;
图23A和23B示出了根据一个实施例的可作为发光器件应用于照明装置的白光光源模块的示意截面图;
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