[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201710138269.X 申请日: 2017-03-09
公开(公告)号: CN107180901B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 吕志强;林义杰;李荣仁;彭钰仁;黄铭祥;金明达;李宜青 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/10;H01L33/02;H01L33/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

发明公开一种发光元件,其具有一正向电压。发光元件包含:一发光结构,其包含一发射出第一光的活性层,第一光具有一第一峰值波长λnm;以及一调整结构,其与活性层堆叠且以串联的方式电连接,用于调整发光元件的正向电压,其中发光元件的正向电压是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之间。

技术领域

本发明涉及一种发光元件,尤其是涉及一种包含调整结构的发光元件。

背景技术

发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

发明内容

本发明提供一种发光元件,其具有一正向电压。发光元件包含:一发光结构,其包含一发射出第一光的活性层,第一光具有一第一峰值波长λnm;以及一调整结构,其与活性层堆叠且以串联的方式电连接,用于调整发光元件的正向电压,其中发光元件的正向电压是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之间。

本发明提供一种发光装置,其包含:一第一发光元件,其可发出一第一辐射,第一辐射具有介于580纳米(nm)和700纳米之间的第一峰值波长,且第一发光元件具有一第一正向电压;以及一第二发光元件,其可发出一第二辐射,第二辐射具有位于第一范围内或位于第二范围内的第二峰值波长,第一范围介于400纳米至480纳米之间,第二范围介于500纳米至590纳米之间,且第二发光元件具有一第二正向电压;其中第一正向电压与第二正向电压的差异不大于0.5伏特。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的发光元件的剖视图;

图2为本发明的第一实施例的发光元件的调整结构的剖视图;

图3为第一活性层发出的第一光与第二活性层发光的第二光的相对强度的图谱;

图4为本发明的第二实施例的发光元件的剖视图;

图5为本发明的第三实施例的发光元件的剖视图;

图6为本发明的第四实施例的发光元件内的调整结构的剖视图;

图7为本发明的第五实施例的发光元件内的调整结构的剖视图;

图8为本发明的第六实施例的发光元件的剖视图;

图9为本发明的第七实施例的发光元件的剖视图;

图10为本发明的第八实施例的发光元件的剖视图;

图11为本发明的第九实施例的发光装置的俯视图;

图12为本发明的第十实施例的发光装置的俯视图;

图13为本发明的第十一实施例的发光装置的俯视图;以及

图14为本发明的第十二实施例的发光装置沿着如图13的A-A’线的剖视图。

符号说明

1、2、3、4、5、6:发光元件

10:成长基板 20、20a、20b、20c、20d:调整结构

30:发光结构 50:第一电极

60:第二电极 31:第一半导体层

31:第二半导体层 33:第一活性层

21、21’、21”:二极管 22:隧穿(穿隧、隧道)结构

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