[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其具有正向电压，该发光元件包含：

发光结构，其包含发射出第一光的第一活性层，该第一光具有第一峰值波长λnm；

二极管，发射出第二光，该第二光具有第二峰值波长；

隧穿结构，位于该发光结构与该二极管之间；以及

中间层，位于该二极管与该隧穿结构之间且包含Al；

其中，该中间层中Al的组成比例自靠近该二极管的一侧至靠近该隧穿结构的一侧逐渐改变。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该正向电压是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之间。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该隧穿结构包含第一隧穿层以及位于该第一隧穿层上的第二隧穿层。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二峰值波长介于800纳米至1900纳米之间。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光结构包含第一半导体层及第二半导体层，该第一活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；该二极管包含第三半导体层、第四半导体层及位于第三半导体层和第四半导体层之间的第二活性层。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该中间层介于该第四半导体层和该隧穿结构之间。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一活性层发射出一辐射，该辐射具有一介于580纳米至700纳米之间的峰值波长。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该正向电压介于2.5伏特至3.5伏特之间。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一峰值波长和该第二峰值波长之间的差异不大于1300nm。

10.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一活性层和该第二活性层皆包含交替的阱层和阻障层。

11.如权利要求10所述的发光元件，其中将一阱层和一阻障层视为一对，该第二活性层的该阱层和该阻障层的对数小于10。

12.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一隧穿层的厚度大于该第二隧穿层的厚度。

13.如权利要求3所述的发光元件，其中该第二隧穿层的厚度不小于5nm且不大于100nm。

14.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一隧穿层的厚度不小于5nm且不大于100nm。

15.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一隧穿层和该第二隧穿层包含砷化铝镓(AlGaAs)。

16.如权利要求5所述的发光元件，其中该第四半导体层包含砷化铝镓(AlGaAs)。

17.如权利要求1所述的发光元件，还包含反射层，位于发光结构上。

18.如权利要求17所述的发光元件，其中该反射层包含分布式布拉格反射镜。

19.如权利要求18所述的发光元件，其中该分布式布拉格反射镜具有介于20欧姆(Ω)和1000Ω之间的电阻。

20.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二峰值波长不同于该第一峰值波长。