[发明专利]一种提高半导体晶元出片率的排布方法有效
申请号: | 201710137426.5 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN107104063B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 张飞飞;肖建辉 | 申请(专利权)人: | 江苏邦融微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张利强 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 半导体 晶元出片率 排布 方法 | ||
本发明公开了一种提高半导体晶元出片率的排布方法,所述的半导体晶元内设置有放置芯片的区块,包括以下具体步骤:a、把PCM参数测试信息的部分版图或者全部版图放置在芯片本身版图的空闲区域中;b、把对准信息的版图和未放入芯片中的PCM参数测试信息的部分版图放置到划片槽中,减小芯片与芯片之间在区块中的距离。通过上述方式,本发明的提高半导体晶元出片率的排布方法,通过把部分工艺厂用于PCM参数测试信息的的版图区块放入到实际的芯片内部,减小划片槽的面积,达到缩小区块面积的目的,这样可以在相同的半导体晶元上放置更多的区块,达到提升半导体晶元利用率的目的,降低单个晶元成本的目的,为产品的市场竞争提供一定的助力。
技术领域
本发明属于半导体领域,涉及一种半导体晶元的排布方法,尤其涉及对半导体制造中用于半导体工艺测试的测试版图的摆放和处理方法。
背景技术
随着物联网技术的发展,对各种传感器的需求越来越大,而很多传感器面积都比较大,比如说半导体指纹传感器、红外成像传感器器等信号采集类的,因为采集面积与芯片面积直接相关。
指纹识别技术现在主流有两种。一种是光学式指纹识别技术,一种是半导体指纹识别技术。指纹识别技术在过去的20年间,两种技术都有各自的应用场合,但是随着移动设备的兴起,光学式不能够小型化和规模化的缺点越来越突出。现在的手机市场,主流是半导体式的指纹采集设备,在传统五金、锁具领域光学式依然占据了很大市场。但是,随着半导体指纹传感器设备的成本的降低,半导体传感器的市占率越来越高。
现在手机在移动设备上应用已经非常成熟,大量的厂商冲入半导体指纹传感器市场,所以对指纹传感器本省成本的考虑就越来越多,对于传感器设计者来说,越小的芯片面积就意味着越强的市场竞争能力。
另外,在半导体晶元上,每个工艺厂都要在晶元上放入用于工艺厂测试PCM(Process Control Monitor)的版图和对准信息的版图。而PCM版图面积一般比较大,在芯片比较小的时候,可以放入80um的划片槽内,而在芯片大的时候,由于一个区块(BLOCK)的大小最大尺寸是固定的,所以在芯片过大的时候,区块内没有足够的划片槽放置用于监控PCM参数和自对准的版图,只有扩大划片槽,这就导致了半导体晶元的浪费。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种提高半导体晶元出片率的排布方法,通过减小芯片与芯片之间在区块的面积,达到减小区块大小的目的,通过减小区块的方式,来实现在同样大小的区块上放置更多芯片的目的。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供了一种提高半导体晶元出片率的排布方法,所述的半导体晶元内设置有放置芯片的区块,包括以下具体步骤:
a、把PCM参数测试信息的部分版图或者全部版图放置在芯片本身版图的空闲区域中;
b、把对准信息的版图和未放入芯片中的PCM参数测试信息的部分版图放置到划片槽中,减小芯片与芯片之间在区块中的距离。
在本发明一个较佳实施例中,所述的半导体晶元的形状为圆形;所述的芯片的形状为矩形。
在本发明一个较佳实施例中,所述的半导体晶元采用6英寸晶元、8英寸晶元或者12英寸晶元。
在本发明一个较佳实施例中,一个所述的区块内设置有两颗芯片。
在本发明一个较佳实施例中,所述的划片槽设置在芯片的上下两端以及两颗芯片之间的位置。
在本发明一个较佳实施例中,所述的划片槽的宽度均为80um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏邦融微电子有限公司,未经江苏邦融微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710137426.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于图形化表面的金锡键合方法
- 下一篇:基板拍摄装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造