[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710135952.8 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107230653B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 丸本洋 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
本发明提供一种能够抑制缺陷的产生并且能够使用干燥液来使基板表面干燥的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在对由基板保持部(31)保持着的旋转的基板(W)的表面供给处理液来进行处理的基板处理装置(16)中,干燥液供给喷嘴(411)向利用处理液进行处理后的旋转的基板的表面供给干燥液,移动机构(41、42、421)使干燥液在基板(W)上的着液点(PA)以从基板(W)的中心部朝向周缘部的朝向移动。控制部(18)进行控制,使得以着液点为基点形成的干燥液的流线中的距离(L)为预先设定的上限距离M以下,其中,该距离(L)是从上述着液点的中心至该干燥液的流线的靠基板的旋转中心侧的端部的距离。
技术领域
本发明涉及一种使用干燥液来使利用处理液进行处理后的基板干燥的技术。
背景技术
已知如下一种技术:将药液、漂洗液等处理液依次切换地供给到旋转的基板(例如半导体晶圆(以下称为晶圆))的表面,来进行基板的处理。当使用各种处理液进行的处理完成时,对旋转的基板供给IPA(Isopropyl Alcohol:高纯度异丙醇)等挥发性高的干燥液,在将残留于基板表面的处理液置换为干燥液之后,将干燥液排出到基板外,由此进行基板的干燥。
例如,专利文献1中记载了如下技术:通过使向旋转的基板供给的第二流体(相当于上述的干燥液)的供给位置从基板的中心侧向周缘部侧移动,来冲走基板的上表面的液膜以使基板干燥。
专利文献1:日本特开2007-36180号公报:权利要求1、段落0048
发明内容
可是,随着半导体装置的高集成化、高纵横比化而产生干燥时的图案损坏等缺陷。即使是专利文献1所记载的方法,也有时也会产生缺陷。
本发明是在这样的情形之下完成的,其目的在于提供一种能够抑制缺陷的产生并且能够使用干燥液来使基板表面干燥的基板处理装置、基板处理方法以及用于存储该方法的存储介质。
本发明的基板处理装置进行对基板的表面供给处理液之后供给干燥液的处理,该基板处理装置的特征在于,具备:基板保持部,其用于保持基板;旋转机构,其使由所述基板保持部保持着的基板旋转;干燥液供给喷嘴,其对利用所述处理液进行处理后的旋转的基板的表面供给用于使基板干燥的干燥液;移动机构,其使由所述基板保持部保持着的基板与干燥液供给喷嘴相对地移动;流量控制机构,其对从所述干燥液供给喷嘴供给的干燥液的供给流量进行控制;以及控制部,在使着液点以从基板的中心部朝向周缘部的朝向移动时,所述控制部进行控制,以使得以所述着液点为基点形成的干燥液的流线中的距离L为预先设定的上限距离M以下,其中,该着液点是从所述干燥液供给喷嘴供给的干燥液到达基板上的位置,该距离L是从所述着液点的中心至该干燥液的流线的靠基板的旋转中心侧的端部的距离。
所述基板处理装置也可以具备以下结构。
(a)所述上限距离M是以下值:在以形成该上限距离以下的流线的方式进行干燥液的供给时,使在形成于基板的表面的图案中形成的缺陷的相对于基准值的增加个数在每1cm2中为5个以下。所述控制部通过使所述干燥液的供给流量变化或者使所述干燥液供给喷嘴的移动速度变化,来将所述距离L控制为上限距离M以下。
(b)所述控制部基于干燥液从所述着液点所描绘的轨道圆的单位区间向基板的中心部侧的流入量来控制所述距离L。此时,基于下述数式来确定干燥液向基板的中心部侧的流入量。
干燥液的流入量={(Q/2)×t}/C(其中,t=D/v),
在此,D为干燥液供给喷嘴的开口直径[mm],Q为干燥液的供给流量[ml/s],v为着液点的移动速度[mm/s],C为着液点所描绘的轨道圆的周长[mm]。
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