[发明专利]一种高带宽低压差线性稳压器

说明书

本发明实施例公开了一种高带宽低压差线性稳压器，包括：比较器、第一开关管和米勒电容；所述比较器的第一输入端连接参考电压，所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端，所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端；所述第一开关管的第一端连接负载，所述第一开关管的第二端连接电源电压；所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端，所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端。本发明实施例中的高带宽LDO无需要求闭环电路的输出稳定，通过米勒电容使第一开关管的输出震荡稳定在负载要求的范围之内，无需限制LDO的带宽以使其输出稳定，实现了高带宽、负载瞬态响应速度快的低压差线性稳压器。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种高带宽低压差线性稳压器。

背景技术

随着半导体工艺的发展，低压差线性稳压器(LDO，Low-dropout Regulator)成为了3D NAND闪存的制作过程中至关重要的一环。

传统的模拟LDO广泛应用于各种电路结构中。然而，为了保证在不同负载条件下LDO输出的稳定性，会导致LDO具有较高的静态功耗以及需要较大的去耦电容，这使得现有的模拟LDO的带宽低、负载瞬态响应速度慢。

发明内容

为了解决现有技术中LDO带宽低、负载瞬态响应速度慢的问题，本发明提供了一种高带宽低压差线性稳压器(LDO)。

本发明实施例提供的高带宽低压差线性稳压器，包括：比较器、第一开关管和米勒电容；

所述比较器的第一输入端连接参考电压，所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端，所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端；

所述第一开关管的第一端连接负载，所述第一开关管的第二端连接电源电压；

所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端，所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端。

可选的，还包括：驱动模块；

所述驱动模块，用于将所述比较器输出的信号驱动后输出至所述第一开关管的控制端。

可选的，所述驱动模块，包括：PMOS管和NMOS管；

所述PMOS管的源极连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端，所述PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端；

所述NMOS管的栅极连接所述比较器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。

可选的，所述驱动模块，包括：第一反相器；

所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述第一开关管的控制端。

可选的，所述驱动模块，包括：第一反相器、PMOS管和NMOS管；

所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述PMOS管的栅极；

所述PMOS管的源极连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端；

所述NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。

可选的，所述驱动模块，还包括：第一电流源和/或第二电流源；

所述第一电流源的输入端连接所述电源电压，所述第一电流源的输出端连接所述PMOS管的源极；

所述第二电流源的输入端连接所述NMOS管的源极，所述第二电流源的输出端接地。

可选的，所述驱动模块，还包括：第二反相器；