[发明专利]一种高带宽低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，包括：比较器、第一开关管和米勒电容；

所述比较器的第一输入端连接参考电压，所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端，所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端；

所述第一开关管的第一端连接负载，所述第一开关管的第二端连接电源电压；

所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端，所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端；

所述米勒电容，用于限制所述第一开关管的第一端输出电压的震荡。

2.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：驱动模块；

所述驱动模块，用于将所述比较器输出的信号驱动后输出至所述第一开关管的控制端。

3.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：PMOS管和NMOS管；

所述PMOS管的源极连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端，所述PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端；

所述NMOS管的栅极连接所述比较器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。

4.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：第一反相器；

所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述第一开关管的控制端。

5.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，包括：第一反相器、PMOS管和NMOS管；

所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第一反相器的输出端连接所述PMOS管的栅极；

所述PMOS管的源极连接所述电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端；

所述NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。

6.根据权利要求3或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，还包括：第一电流源和/或第二电流源；

所述第一电流源的输入端连接所述电源电压，所述第一电流源的输出端连接所述PMOS管的源极；

所述第二电流源的输入端连接所述NMOS管的源极，所述第二电流源的输出端接地。

7.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述驱动模块，还包括：第二反相器；

所述第二反相器的输入端连接所述比较器的输出端，所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端。

8.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一反相器为反相缓冲器或反相放大器。

9.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，

所述米勒电容的容值小于所述负载的等效电容的容值；

所述米勒电容的容值大于所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。

10.根据权利要求9所述的高带宽低压差线性稳压器，其特征在于，100C_x≤C_load，且C_x≥10C_p；

其中，C_x为所述米勒电容的容值，所述C_load为所述负载的等效电容的容值，C_p为所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。