[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

配线板；

元件部，设置在所述配线板上；及

树脂密封部，将所述元件部密封；

所述树脂密封部包含具有第1填料含有率的第1树脂部，

所述元件部设置在所述配线板的一部分与所述第1树脂部的一部分之间，且包含第1半导体元件及设置在所述第1半导体元件与所述配线板的一部分之间的第2半导体元件，

所述树脂密封部包含第2树脂部，所述第2树脂部包含设置在所述第1半导体元件与所述第2半导体元件之间的元件间区域的部分、及设置在所述配线板的另一部分与所述第1树脂部的另一部分之间的周边区域的部分，且具有低于第1填料含有率的第2填料含有率，

设置在所述周边区域的所述部分与所述第1树脂部的所述另一部分之间的区域中的填料含有率沿着从设置在所述周边区域的所述部分朝向所述第1树脂部的所述另一部分的方向而连续地上升，

所述第2树脂部的刚性高于所述第1树脂部的刚性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2树脂部中所包含的多个填料的平均粒径为所述第1半导体元件与所述第2半导体元件之间的距离的1/3以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2树脂部的耐热温度高于所述第1树脂部的耐热温度。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

从具有包含第1夹紧部、第2夹紧部、模腔部、第1中间部、及第2中间部的第1面的第1模具部的所述模腔部的至少一部分将膜的一部分剥离且由所述第1中间部及所述第2中间部保持所述膜，其中，所述模腔部设置在所述第1夹紧部的至少一部分与所述第2夹紧部的至少一部分之间，且从所述第1夹紧部以第1深度后退，所述第1中间部设置在所述第1夹紧部与所述模腔部之间，且从所述第1夹紧部以比所述第1深度浅的第2深度后退，所述第2中间部设置在所述第2夹紧部与所述模腔部之间，且从所述第2夹紧部以比所述第1深度浅的第3深度后退；

在与所述第1面相向且与所述模腔部在第1方向上隔开的第2模具部和所述膜之间配置积层体，所述积层体包含配线板、与所述配线板在所述第1方向上隔开的第1半导体元件、及设置在所述配线板与所述第1半导体元件之间且与所述第1半导体元件隔开的第2半导体元件；

在所述膜的所述一部分与所述模腔部隔开且所述积层体的至少一部分与所述膜相接的状态下，将第2树脂材料导入到所述第1半导体元件与所述第2半导体元件之间；及

在导入所述第2树脂材料的所述步骤之后，在使所述膜的至少一部分与所述模腔部接触的状态下，将第1树脂材料导入到所述积层体与所述膜之间。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

保持所述膜的所述步骤包含使用设置在所述第1中间部的第1吸附孔及设置在所述第2中间部的第2吸附孔保持所述膜。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

导入所述第1树脂材料的所述步骤包含在使所述膜顺着所述模腔部的形状的状态下，将所述第1树脂材料导入到所述积层体与所述膜之间。

7.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

导入所述第2树脂材料的所述步骤包含将所述第2树脂材料导入到在与所述第1方向交叉的方向上与所述积层体重叠的侧区域，

导入所述第1树脂材料的所述步骤包含将所述第1树脂材料导入到设置在所述侧区域的所述第2树脂材料的一部分与所述膜之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

导入所述第1树脂材料的所述步骤包含使设置在所述侧区域的所述第2树脂材料的所述一部分的一部分与所述第1树脂材料的一部分混合。