[发明专利]三维存储器测试结构及其制作方法、测试方法

权利要求书

1.一种三维存储器测试结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿预设方向呈阶梯状排布的N层金属栅极，以及位于相邻两层金属栅极之间的氧化层，N为大于1的正整数，所述预设方向垂直于所述基底表面；

形成于所述堆叠结构的第一区域和第二区域的多个沟道孔，其中，所述第二区域位于所述第一区域外围，且所述第二区域内沟道孔的密度小于所述第一区域内沟道孔的密度；

形成于在所述沟道孔内的存储结构；

形成于所述N层金属栅极中第M层金属栅极上方各层金属栅极和氧化层对应所述第二区域中预设区域内的曝露结构，所述曝露结构曝露所述第M层金属栅极部分区域，M为大于零且不大于N的任一正整数或依次为N-1中任一正整数。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一区域为存储区域，所述第二区域为电极连接区域。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述预设区域为所述第二区域中各通道孔之间的空白区域。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属栅极的厚度不小于10nm，且不大于80nm。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述沟道孔结构包括：依次形成于所述沟道孔侧壁的隧穿层、存储层、阻挡层和多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属栅极包括叠加的氮化钛金属层和钨金属层。

7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述氮化钛金属层的厚度不小于1nm且不大于10nm；所述钨金属层的厚度不小于10nm且不大于100nm。

8.一种三维存储器测试结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供基底；

在所述基底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠设置的N层氧化层和N层氮化层，N为大于1的正整数；

在所述堆叠结构的第一区域和第二区域形成多个沟道孔，所述第二区域位于所述第一区域外围，且所述第一区域的沟道孔的密度大于所述第二区域的沟道孔的密度；

在所述沟道孔中形成存储结构；

去除所述堆叠结构中的氮化层，形成沟槽；

在所述沟槽内填充金属，形成沿预设方向呈阶梯状排布的N层金属栅极，所述预设方向垂直于所述基底表面；

去除所述N层金属栅极中第M层金属栅极上方各层金属栅极和氧化层位于所述第二区域中预设区域的部分，曝露所述第M层金属栅极部分区域，M为大于零且不大于N的任一正整数或依次为N-1中任一正整数。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，去除所述N层金属栅极中第M层金属栅极上方各层金属栅极和氧化层位于所述第二区域中预设区域的部分，曝露所述第M层金属栅极部分区域包括：

利用等离子聚焦束去除所述N层金属栅极中第M层金属栅极上方各层金属栅极和氧化层位于所述第二区域中预设区域的部分，曝露所述第M层金属栅极部分区域。

10.一种三维存储器测试结构的测试方法，其特征在于，该方法包括：

利用探针接触权利要求1-7任一项所述的三维存储器测试结构中第M层金属栅极的曝露区域；

根据所述探针的探测结果，获得所述三维存储器测试结构中金属栅极的填充性能。