[发明专利]存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上定义有一用于形成位线接触的位线接触区；

在所述位线接触区的半导体衬底中形成一第一导电类型的掺杂区；以及，在所述位线接触区的半导体衬底上形成一与所述掺杂区接触的位线接触，与所述掺杂区接触的位线接触中掺杂有第一导电类型的离子，所述位线接触中的离子掺杂浓度大于所述掺杂区中的离子掺杂浓度，并且所述掺杂区中的离子掺杂浓度往远离所述位线接触的方向梯度递减；

其中，所述掺杂区的形成方法包括：

执行氧化工艺，在所述半导体衬底上形成一氧化层；

执行第一离子注入工艺，在所述位线接触区的半导体衬底中形成第一导电类型的所述掺杂区；以及

在执行第一离子注入工艺后，执行热退火工艺，形成离子浓度梯度分布的掺杂区。

2.如权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述位线接触的形成方法包括：

在所述半导体衬底上依次形成一第一导电材料层、一第二导电材料层和一绝缘材料层，所述第二导电材料层的电阻率小于所述第一导电材料层的电阻率；

在所述绝缘材料层上形成一图形化的掩膜层，所述掩膜层定义出位线接触的图形；以及，

以所述掩膜层为掩膜依次刻蚀所述绝缘材料层、第二导电材料层和第一导电材料层，以在所述位线接触区的半导体衬底上形成所述位线接触。

3.如权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述第一导电材料层之后，以及形成所述第二导电材料层之前，还包括：

对所述第一导电材料层执行第二离子注入工艺，以在位线接触区中形成具有第一导电类型的第一导电材料层，所述第一导电材料层中的离子掺杂浓度大于所述掺杂区中的离子掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的形成方法包括：

在所述绝缘层上形成一硬式薄膜和一遮蔽层，所述硬式薄膜的模式硬度大于5，所述遮蔽层覆盖所述硬式薄膜；

对所述遮蔽层执行光刻工艺，以在所述遮蔽层上形成一图形化的光刻胶，所述光刻胶定义出所述位线接触的图形；

以所述光刻胶为掩膜刻蚀部分所述遮蔽层，以在遮蔽层的上表面上形成与所述光刻胶对应的图形；

去除所述光刻胶后，继续刻蚀上表面上形成有图形的遮蔽层，以形成图形化的遮蔽层并暴露出所述硬式薄膜，所述图形化的遮蔽层定义出所述位线接触的图形；以及

以所述图形化的遮蔽层为掩膜刻蚀所述硬式薄膜，形成图形化的硬式薄膜并暴露出所述绝缘层，所述图形化的遮蔽层和所述图形化的硬式薄膜构成所述图形化的掩膜层。

5.一种存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元阵列区，存储单元阵列区中具有一位线接触区；

在所述位线接触区的半导体衬底中形成有一第一导电类型的掺杂区；以及

在所述位线接触区的半导体衬底上形成有一与所述掺杂区接触的位线接触，与所述掺杂区接触的位线接触中掺杂有第一导电类型的离子，所述位线接触中的离子掺杂浓度大于所述掺杂区中的离子掺杂浓度，并且所述掺杂区中的离子掺杂浓度往远离所述位线接触的方向梯度递减；

一氧化层，形成在所述半导体衬底上；

其中，在所述位线接触区的半导体衬底中形成的所述第一导电类型的所述掺杂区经过第一离子注入工艺以及热退火工艺，以形成离子浓度梯度分布的掺杂区。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储单元阵列区包括多个阵列排布的存储单元有源区，多个所述存储单元有源区之间通过一隔离结构相互隔离，所述存储单元有源区上形成有由两个存储单元构成的存储单元对，所述位线接触形成于所述两个存储单元之间。

7.如权利要求5述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括多条沿预定方向延伸的字线，位于所述预定方向上的存储单元的存储闸极结构相互连接构成所述字线。

8.如权利要求5述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括多条沿预定方向延伸的字线，位于所述预定方向上的隔离结构中形成有位线接触，位于所述预定方向上的存储单元的存储闸极结构和所述位线接触相互连接构成所述字线。