[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层中具有开口；

形成覆盖所述开口侧壁的第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上形成覆盖所述开口侧壁的改善层；

形成改善层之后，在所述开口中形成插塞，所述改善层材料的原子用于与所述插塞材料的原子形成化学键，阻挡所述插塞材料的原子扩散进入所述介质层中；所述改善层材料的原子可扩散到所述第一阻挡层与介质层的接触面，使第一阻挡层材料原子、改善层材料原子和介质层材料原子形成化学键，以增加第一阻挡层与介质层之间的粘附性。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述改善层上形成覆盖所述开口侧壁的第二阻挡层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮化钽或氮化钛。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为钽或钛。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层的工艺包括原子层沉积工艺，且形成所述第二阻挡层的工艺包括物理气相沉积工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改善层的材料为非晶锗或非晶硅。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改善层的厚度为2纳米～5纳米。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述改善层的工艺包括：化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或物理气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述插塞的材料为铜。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述插塞之后，还包括：对所述插塞、改善层和第一阻挡层进行退火处理。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的介质层，所述介质层中具有开口，所述开口贯穿所述介质层；

覆盖所述开口侧壁的第一阻挡层；

覆盖所述开口侧壁的改善层；

位于开口中的插塞，所述第一阻挡层和所述改善层位于所述插塞与所述介质层之间，所述改善层位于所述插塞和所述第一阻挡层之间，所述改善层材料的原子用于与所述插塞材料的原子形成化学键，阻挡所述插塞材料的原子扩散进入所述介质层中；所述改善层材料的原子可扩散到所述第一阻挡层与介质层的接触面，使第一阻挡层材料原子、改善层材料原子和介质层材料原子形成化学键，以增加第一阻挡层与介质层之间的粘附性。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：覆盖所述开口侧壁的第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述改善层和所述插塞之间。

13.如权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮化钽或氮化钛。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为钽或钛。

15.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述改善层的材料为非晶锗或非晶硅。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述改善层的厚度为2纳米～5纳米。

17.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述插塞的材料为铜。