[发明专利]像素电路和具有该像素电路的显示装置在审

专利信息
申请号: 201710131262.5 申请日: 2017-03-07
公开(公告)号: CN106875893A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 徐映嵩 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 孙之刚,陈岚
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 具有 显示装置
【说明书】:

公开了一种像素电路,其包括:有机发光二极管;驱动晶体管,与所述有机发光二极管串联连接并且具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极;双栅晶体管,耦合在所述第一节点与所述第二节点之间;以及漏电流抑制结构,用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述有机发光二极管的驱动电流的变化。还公开了具有该像素电路的显示装置。

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体来说涉及一种像素电路和具有该像素电路的显示装置。

背景技术

为补偿由于工艺导致的各驱动晶体管的阈值电压的不均匀,各种补偿技术已经被应用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)像素电路中。

图1是示出一种用于AMOLED像素电路的补偿技术的示意图。如图1所示,驱动晶体管DT的源极连接到第一电源电压Vdd,有机发光二极管(OLED)连接在驱动晶体管DT的漏极与第二电源电压Vss之间,并且补偿晶体管CT连接在驱动晶体管DT的栅极和漏极之间。当补偿晶体管CT的栅极被施加低电平信号SN时,补偿晶体管CT被开启以使得驱动晶体管DT形成二极管结构。该二极管结构可以用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压Vth对由驱动晶体管DT供应给OLED的驱动电流IOLED的影响。

当驱动晶体管DT形成二极管结构时,其栅极电压Vg等于其漏极电压Vd,并且漏极电压Vd与其源极电压Vs之间的差Vds满足:Vds=Vth。因此,在图1的示例中可以得到:Vg=Vd=Vds+Vs=Vth+Vdd。可以看到,驱动晶体管DT的阈值电压Vth已经被引入栅极电压Vg中。

在随后的发光阶段,驱动电流IOLED可以计算为:

IOLED = K (Vgs-Vth)2 (1)

其中K表示由驱动晶体管DT的迁移率(mobility)和寄生电容所确定的恒定值,并且Vgs表示驱动晶体管DT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的差。在该发光阶段,补偿晶体管CT被关断并且数据电压已经被引入到Vg中,使得阈值电压Vth在等式(1)中被抵消。换言之,驱动电流IOLED将与阈值电压Vth无关,从而改进各个OLED之间的亮度的均匀性。

然而,当补偿晶体管CT被关断时流过补偿晶体管CT的漏电流会引起驱动晶体管DT的栅极电压Vg的变化。这可以例如导致在发光阶段期间驱动电流IOLED的变化,从而影响显示质量。

发明内容

发明人已经认识到,将双栅晶体管(其包括经由公共端子串联连接的两个子晶体管)用作补偿晶体管CT是有利的,因为双栅晶体管可以具有与普通晶体管相比更小的漏电流。然而,双栅晶体管的公共端子通常被悬浮,使得像素电路的操作易受外部扰动的影响。例如,由于外部扰动而引起的双栅晶体管的不期望开启可以导致不正确的数据电压的写入。又例如,在发光阶段,双栅晶体管的增大的漏电流可以被引起,使得流过OLED的驱动电流IOLED的量值被改变。

因此,实现一种缓解、减轻或消除上述问题中的一个或多个的像素电路将是有利的。同样期望的是提供一种具有这样的像素电路的显示装置。

根据本发明的第一方面,提供了一种像素电路,包括:有机发光二极管;驱动晶体管,与所述有机发光二极管串联连接并且被配置成在发光阶段期间借助于流过所述有机发光二极管的驱动电流驱动所述有机发光二极管发光,所述驱动晶体管具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极;双栅晶体管,耦合在所述第一节点与所述第二节点之间使得当所述双栅晶体管被开启时所述驱动晶体管形成二极管结构,所述双栅晶体管包括经由公共端子串联连接的两个子晶体管;以及漏电流抑制结构,用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述驱动电流的变化。

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