[发明专利]像素电路和具有该像素电路的显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，包括：

有机发光二极管；

驱动晶体管，与所述有机发光二极管串联连接并且被配置成在发光阶段期间借助于流过所述有机发光二极管的驱动电流驱动所述有机发光二极管发光，其中所述驱动晶体管具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极；

双栅晶体管，耦合在所述第一节点与所述第二节点之间使得当所述双栅晶体管被开启时所述驱动晶体管形成二极管结构，其中所述双栅晶体管包括经由公共端子串联连接的两个子晶体管；以及

漏电流抑制结构，用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述驱动电流的变化，其中所述漏电流抑制结构包括以下中的至少一个：

耦合在所述第一节点与所述公共端子之间的电容器，其中所述电容器被耦合到所述第一节点以提供补偿由于漏电流引起的所述驱动电流的变化的负反馈机制；或

耦合在所述第一节点与所述双栅晶体管之间的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管被布置成反向截止以在所述发光阶段期间抑制所述漏电流流过所述双栅晶体管。

2.如权利要求1所述的像素电路，其中所述双栅晶体管包括：

有源层；

绝缘层，布置在所述有源层上；

栅极金属层，布置在所述绝缘层上并且包括彼此间隔开且电连接的两个栅极金属区；

第一电极，与所述有源层电接触并且连接到所述第一节点；以及

第二电极，与所述有源层电接触并且连接到所述第二节点。

3.如权利要求2所述的像素电路，其中所述电容器包括金属板，所述金属板被布置使得所述绝缘层被夹在所述金属板与所述有源层之间。

4.如权利要求3所述的像素电路，其中所述金属板位于与所述栅极金属层不同的层。

5.如权利要求3所述的像素电路，其中所述金属板位于与所述栅极金属层相同的层。

6.如权利要求2所述的像素电路，其中所述第一电极由金属制成，其中所述漏电流抑制结构包括所述肖特基二极管，并且其中所述肖特基二极管包括借助于所述第一电极与所述有源层之间的金属-半导体接触而形成的空穴阻挡层。

7.如权利要求6所述的像素电路，其中所述有源层由多晶硅制成，并且其中所述金属选自由Ag、Au、Pt和Al组成的组。

8.如权利要求1-7中任一项所述的像素电路，其中所述两个子晶体管每个都具有连接到第一扫描线的栅极，并且其中所述像素电路还包括：

存储电容器，具有连接到所述第一节点的第一端子和连接到第三节点的第二端子；

第三晶体管，连接在所述驱动晶体管与所述有机发光二极管之间并且具有连接到发光控制线的栅极；

第四晶体管，具有连接到第二扫描线的栅极、连接到初始化电压的第一电极、以及连接到所述第一节点的第二电极；

第五晶体管，具有连接到所述第二扫描线的栅极、连接到第一电源电压的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极；

第六晶体管，具有连接到第一扫描线的栅极、连接到数据线的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极；以及

第七晶体管，具有连接到发光控制线的栅极、连接到参考电压的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极。

9.如权利要求8所述的像素电路，其中所述第四晶体管被配置成响应于来自所述第二扫描线的第二扫描信号将所述第一节点的电位初始化为所述初始化电压，并且其中所述第五晶体管被配置成响应于所述第二扫描信号将所述第三节点的电位初始化为所述第一电源电压。

10.如权利要求8所述的像素电路，其中所述双栅晶体管被配置成响应于来自所述第一扫描线的第一扫描信号使得所述驱动晶体管形成所述二极管结构，并且其中所述第六晶体管被配置成响应于所述第一扫描信号将来自所述数据线的数据电压写入到所述第三节点。