[发明专利]具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装基板(package substrate)，特别是涉及一种具有埋入式噪声屏蔽墙(noise shielding wall)的封装基板，其中，至少一条信号线夹在两屏蔽墙之间。

背景技术

如图1所示，美国专利US7,638,881B2于2009年12月29日公开的芯片封装100，包括芯片110、封装基板120、多个焊锡凸块130和界面金属层140。该芯片110具有多个设置于芯片110的表面114上的芯片焊垫112。封装基板120具有多个第一基板焊垫122、多个第二基板焊垫124以及表面接合层(其材料为Sn)126。在第一基板焊垫122和第二基板焊垫124设置于封装基板120的表面128上。表面接合层126(Sn)设置于第一基板焊垫122和第二基板焊垫124表面、且表面接合层126完全覆盖第一基板焊垫122和第二基板焊垫124表面。焊锡凸块130设置于芯片焊垫112和表面接合层126之间。界面金属层140设置于焊锡凸块130和表面接合层126之间。芯片110透过焊锡凸块130电性连接于封装基板120。

在今日，随着半导体封装技术的快速发展，封装基板的信号线的分布密度越来越高，紧密分布的信号线之间的串音干扰(crosstalk)变成严重的问题。

现有技术的缺点是，封装基板的信号线没有噪声屏蔽墙的设置，本发明就是为了解决封装基板的信号线的串音干扰(crosstalk)的问题。

发明内容

针对现有技术的上述不足，根据本发明的实施例，希望提供一种具有噪声屏蔽功能，能有效解决信号线的串音干扰(crosstalk)问题的封装基板(package substrate)。

根据实施例，本发明提供的一种具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，包括第一信号线、左边屏蔽墙和右边屏蔽墙，第一信号线埋设于第一介电层中；左边屏蔽墙埋设于所述第一介电层中，并且配置在所述第一信号线的左边；右边屏蔽墙埋设于所述第一介电层中，并且配置在所述第一信号线的右边。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，所述左边屏蔽墙具有的底表面，不高于所述第一信号线的底表面；所述右边屏蔽墙具有的底表面，不高于所述第一信号线的底表面。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括重新分布层和芯片，重新分布层配置在所述第一介电层的底侧；芯片配置在所述封装基板的顶面，所述芯片经由所述多个纵向金属接线，电性耦合到所述重新分布层的电路。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括底侧屏蔽墙，底侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的底侧上。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括第二信号线，第二信号线埋设于所述第一介电层中，与所述第一信号线相邻并排配置；所述左边屏蔽墙配置在所述第一信号线的左边；右边屏蔽墙配置在第二信号线的右边。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括中间屏蔽墙，中间屏蔽墙配置在所述第一信号线和所述第二信号线之间。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，所述左边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；右边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过第一信号线的顶表面。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的顶表面。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括第二介电层，所述左边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面，埋设于所述第二介电层中；所述右边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面，埋设于所述第二介电层中。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的顶表面；所述顶侧屏蔽墙埋设于所述第二介电层中，且具有表面与所述第二介电层顶表面为共平面。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，所述左边屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；所述中间屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；右边屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面。

根据一个实施例，本发明前述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板中，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙、中间屏蔽墙以及右边屏蔽墙的顶侧。