[发明专利]具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板

权利要求书

1.一种具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，包括第一信号线、左边屏蔽墙和右边屏蔽墙，第一信号线埋设于第一介电层中；左边屏蔽墙埋设于所述第一介电层中，并且配置在所述第一信号线的左边；右边屏蔽墙埋设于所述第一介电层中，并且配置在所述第一信号线的右边。

2.根据权利要求1所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述左边屏蔽墙具有的底表面，不高于所述第一信号线的底表面；所述右边屏蔽墙具有的底表面，不高于所述第一信号线的底表面。

3.根据权利要求1所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括重新分布层和芯片，重新分布层配置在所述第一介电层的底侧；芯片配置在所述封装基板的顶面，所述芯片经由所述多个纵向金属接线，电性耦合到所述重新分布层的电路。

4.根据权利要求1所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括底侧屏蔽墙，底侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的底侧上。

5.根据权利要求1所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括第二信号线，第二信号线埋设于所述第一介电层中，与所述第一信号线相邻并排配置；所述左边屏蔽墙配置在所述第一信号线的左边；右边屏蔽墙配置在第二信号线的右边。

6.根据权利要求5所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括中间屏蔽墙，中间屏蔽墙配置在所述第一信号线和所述第二信号线之间。

7.根据权利要求1所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述左边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；右边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过第一信号线的顶表面。

8.根据权利要求7所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的顶表面。

9.根据权利要求5所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括第二介电层，所述左边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面，埋设于所述第二介电层中；所述右边屏蔽墙具有延伸区域向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面，埋设于所述第二介电层中。

10.根据权利要求9所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙和所述右边屏蔽墙的顶侧；所述顶侧屏蔽墙埋设于所述第二介电层中，且具有表面与所述第二介电层顶表面为共平面。

11.根据权利要求6所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述左边屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；所述中间屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面；右边屏蔽墙向上延伸，越过所述第一信号线的顶表面。

12.根据权利要求11所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包括顶侧屏蔽墙，顶侧屏蔽墙配置在所述左边屏蔽墙、中间屏蔽墙以及右边屏蔽墙的顶侧。

13.根据权利要求4所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述底侧屏蔽墙、左边屏蔽墙和右边屏蔽墙，埋设于所述第一介电层中。

14.根据权利要求13所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述左边屏蔽墙和右边屏蔽墙具有顶表面，前述顶表面与所述第一介电层顶表面共平面。

15.根据权利要求7所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，还包含第二介电层，所述第二介电层设置于所述第一介电层顶侧；所述延伸区域埋设于所述第二介电层中。

16.根据权利要求8所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述顶侧屏蔽墙埋设于所述第二介电层中；所述顶侧屏蔽墙具有顶表面，前述顶表面与所述第二介电层顶表面为共平面。

17.根据权利要求3所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述纵向金属接线底部，穿过所述第一介电层底部。

18.根据权利要求17所述具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板，其特征是，所述纵向金属接线具有顶表面，前述顶表面与所述第一介电层顶表面共平面。