[发明专利]一种触控显示面板和触控显示装置有效
申请号: | 201710123475.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN108336108B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 王丽花;周星耀;曾洋;姚绮君 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041;G06F3/042 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种触控显示面板,具有显示区域和与所述显示区域相邻的绑定区域;
所述触控显示面板包括:
基板,所述基板包括相对设置的基板上表面和基板下表面;
设置于所述基板上表面一侧呈阵列排布的薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管电连接的信号引出线,所述信号引出线延伸至所述绑定区域;
设置于所述基板上表面一侧的触摸传感器,以及与所述触摸传感器电连接的触摸传感器引出线,所述触摸传感器引出线延伸至所述绑定区域;以及
设置于所述绑定区域的集成电路元件,所述集成电路元件通过导电胶与所述信号引出线和所述触摸传感器引出线电连接,所述导电胶中包括导电粒子;其中,
在所述绑定区域内:所述触摸传感器引出线远离所述基板一侧距离所述基板的基板上表面的厚度为d1,所述信号引出线远离所述基板一侧距离所述基板的基板上表面的厚度为d2,所述导电胶中导电粒子的直径为d3,d1、d2、d3的关系满足条件:
d1-d2<d3*80%。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,d1=d2。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,
在所述绑定区域,所述触摸传感器引出线所在区域按照远离所述基板的方向依次包括:第一绝缘层和触摸传感器引出线。
4.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括:
设置在所述薄膜晶体管和所述触摸传感器之间的发光器件,以及覆盖所述发光器件的薄膜封装层,所述触摸传感器位于所述薄膜封装层远离所述基板的一侧;其中,
所述发光器件按照远离所述薄膜晶体管的方向依次包括:第一电极层、像素定义层、发光层和第二电极层。
5.根据权利要求4所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括:
依次设置在所述薄膜晶体管和所述发光器件之间的钝化层和平坦化层。
6.根据权利要求5所述的触控显示面板,其特征在于,
所述第一绝缘层与所述钝化层、所述平坦化层、所述像素定义层之中的任意一层在同一道工序中形成。
7.根据权利要求5所述的触控显示面板,其特征在于,
所述第一绝缘层包括两层结构,所述两层结构分别与所述钝化层、所述平坦化层、所述像素定义层之中的任意两层在同一道工序中形成。
8.根据权利要求5所述的触控显示面板,其特征在于,
所述第一绝缘层包括三层结构,所述三层结构分别与所述钝化层、所述平坦化层、所述像素定义层在同一道工序中形成。
9.根据权利要求6-8任一权项所述的触控显示面板,其特征在于,
所述绑定区域的第一绝缘层具有凹槽,所述触摸传感器引出线设置在所述凹槽内。
10.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,
在所述绑定区域,所述第一绝缘层所在膜层与所述基板之间还包括第二绝缘层;
在所述绑定区域,所述信号引出线所在区域按照远离所述基板的方向依次包括:第二绝缘层和信号引出线。
11.根据权利要求10所述的触控显示面板,其特征在于,
所述薄膜晶体管按照远离所述基板的方向依次包括:半导体膜层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层和源漏金属层。
12.根据权利要求11所述的触控显示面板,其特征在于,
所述第二绝缘层与所述栅极绝缘层、层间绝缘层中的任意一层在同一道工序中形成;或者,
所述第二绝缘层包括两层结构,所述两层结构分别与所述栅极绝缘层、层间绝缘层在同一道工序中形成。
13.根据权利要求1所述触控显示面板,其特征在于,所述信号引出线包括数据线和/或扫描线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710123475.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:物流站与物流托运方法
- 下一篇:高压集成电路的高电压终端结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的