[发明专利]检查方法和系统以及使用其检查半导体器件的方法在审
申请号: | 201710123069.7 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154365A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 孙雄奎;林相敎;沈善姬;全美净 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张泓 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 方法 系统 以及 使用 半导体器件 | ||
1.一种检查样品的方法,包括:
对样品的目标图案执行聚焦操作,其中,聚焦操作包括在不同聚焦高度扫描目标图案以获得多个聚焦图像;
使用多个聚焦图像中的至少一个作为目标图案的目标图案图像;以及
基于目标图案图像来测量目标图案的尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,使用多个聚焦图像中的至少一个作为目标图案图像包括:选择多个聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像,并且使用最佳聚焦图像作为目标图案图像。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,使用多个聚焦图像中的至少一个作为目标图案图像包括:选择多个聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像,并且使用最佳聚焦图像与多个聚焦图像中的其他聚焦图像的合成图像作为目标图案图像。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:基于目标图案图像来调节样品的图像的亮度和对比度。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,测量目标图案的尺寸包括:
基于目标图案图像与目标图案的可比较对象图像是否一致来识别目标图案;
对所识别的目标图案执行扫描操作以获得图像数据;以及
基于图像数据来测量目标图案的尺寸。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,多个聚焦图像是第一聚焦图像,并且该方法还包括:
在对样品的目标图案执行聚焦操作之前,对样品的参考图案执行聚焦操作,其中,对参考图案的聚焦操作包括在不同聚焦高度扫描参考图案以获得多个第二聚焦图像;
使用多个第二聚焦图像中的至少一个作为参考图案的参考图案图像;以及
使用参考图案图像来定位与参考图案间隔的目标图案。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,使用多个第二聚焦图像中的至少一个作为参考图案图像包括:选择多个第二聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像,并且使用最佳聚焦图像作为参考图案图像。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,使用多个第二聚焦图像中的至少一个作为参考图案图像包括:选择多个第二聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像,并且使用最佳聚焦图像与多个第二聚焦图像中的其他第二聚焦图像的合成图像作为参考图案图像。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,定位目标图案包括:
基于参考图案图像与参考图案的可比较对象图像是否一致来识别参考图案;以及
基于关于目标图案相对于参考图案的位置的信息来定位目标图案。
10.一种用于检查样品的系统,包括:
图像扫描单元,被配置为获得形成在样品上的图案的图像;
控制器,被配置为控制图像扫描单元,其中,控制器被配置为控制图像扫描单元在不同聚焦高度对图案执行扫描操作并且获得多个聚焦图像;以及
数据处理单元,被配置为将多个聚焦图像中的至少一个存储为图案的图案图像,并且基于图案图像测量图案的尺寸。
11.根据权利要求10所述的系统,其中,数据处理单元被配置为选择多个聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像并且将最佳聚焦图像存储为图案图像。
12.根据权利要求10所述的系统,其中,数据处理单元被配置为选择多个聚焦图像中的最高分辨率的图像作为最佳聚焦图像并且将最佳聚焦图像与多个聚焦图像中的其他聚焦图像的合成图像存储为图案图像。
13.根据权利要求10所述的系统,其中,图案包括参考图案和目标图案,
控制器控制图像扫描单元分别地从参考图案和目标图案获得多个第一聚焦图像和多个第二聚焦图像,以及
数据处理单元被配置为将多个第一聚焦图像中的至少一个存储为参考图案的参考图案图像,将多个第二聚焦图像中的至少一个存储为目标图案的目标图案图像,以及基于参考图案图像和目标图案图像来测量目标图案的尺寸。
14.根据权利要求13所述的系统,其中,数据处理单元被配置为向控制器提供目标图案图像,以及
控制器控制图像扫描单元基于目标图案图像来调节从样品获得的图像的亮度和对比度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造