[发明专利]一种电化学抛光方法及石墨烯薄膜制备方法

权利要求书

1.一种电化学抛光方法，所述方法包括以待抛光衬底为阳极，以不溶性金属为阴极，通电搅拌进行电解，其特征在于，电解采用的电解液包括磷酸、硫酸、去离子水和聚乙二醇的混合液。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，电解液包括体积百分比为30％-35％磷酸、20％-25％硫酸、20％-30％去离子水及15％-20％聚乙二醇，体积百分比之和为100％。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，电解液包括体积百分比为30％磷酸、20％硫酸、30％去离子水及20％聚乙二醇。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述待抛光衬底包括Cu，Cu衬底电解时直流电压为0.4-0.6V，时间为8-12min。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述待抛光衬底包括Ni，Ni衬底电解时直流电压为18-22V，时间为4-6min。

6.如权利要求4或5所述方法，其特征在于，Cu或Ni衬底电解时阴、阳极间距为4-5cm。

7.如权利要求4或5所述方法，其特征在于，Cu或Ni电解时搅拌速度为100-150r/min，温度为25-30℃。

8.一种电化学抛光平台，其特征在于，所述电化学抛光平台包括直流电源、电解容器及搅拌器；直流电源提供电解时的直流电，电解容器盛装电解液并进行电解抛光，搅拌器用于提供电解时的转速及电解温度；电解采用包括权利要求1-3任一所述电解液。

9.一种石墨烯薄膜的制备方法，采用磁控溅射法，其特征在于，采用权利要求4或5所述方法对Cu或Ni衬底进行电化学抛光后放入磁控溅射设备中制备。

10.如权利要求9所述制备方法，其特征在于，磁控溅射的腔室温度为800-1000℃，腔体内部压力为0.5Toor。