[发明专利]过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板

说明书

一种过孔的制备方法、阵列基板的制备方法以及阵列基板。该过孔的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成绝缘层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀绝缘层以在绝缘层中形成凹槽；对绝缘层的由凹槽暴露的部分进行离子注入，以形成离子注入区；采用第二次刻蚀工艺刻蚀离子注入区内的绝缘层以形成贯穿绝缘层的过孔。该过孔的制备方法利用离子注入工艺，对绝缘层进行离子注入，增大离子注入区内的绝缘层密度，从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角，提高了过孔的质量，保证了过孔的有效性，改善或消除了利用该过孔进行电连接的像素电极与源漏电极层之间接触跨断的不良现象。

技术领域

本公开的实施例涉及一种过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板。

背景技术

对于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置而言，显示基板的质量十分重要，而在制备显示基板的制备方法中，需要在已经形成有薄膜晶体管的显示基板上沉积绝缘层，利用干法刻蚀技术在绝缘层上进行刻蚀，以形成过孔，然后在绝缘层上形成像素电极，像素电极可以通过该过孔与薄膜晶体管进行电连接，从而进行数据传输。

传统显示基板的制备工艺中，绝缘层具有多层绝缘子层结构，其各绝缘子层的刻蚀速率不同。最底部绝缘子层的刻蚀速率大于其相邻上方的绝缘子层的刻蚀速率，导致最底部绝缘子层刻蚀过快，过孔在绝缘层底部形成内阶梯状的倒钩角，产生底切不良，底切不良会造成像素电极与薄膜晶体管的源漏电极层之间接触跨断，从而导致显示装置显示异常或无法显示，降低显示装置的品质和良率。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种过孔的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成绝缘层；采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层以在所述绝缘层中形成凹槽；对所述绝缘层的由所述凹槽暴露的部分进行离子注入，以形成离子注入区；采用第二次刻蚀工艺刻蚀所述离子注入区内的绝缘层以形成贯穿所述绝缘层的过孔。

本公开至少一实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括上述过孔的制备方法。

本公开至少一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的绝缘层；贯穿所述绝缘层的过孔；其中，所述绝缘层包括依次设置在所述衬底基板上的第一绝缘子层和第二绝缘子层，所述第一绝缘子层包括靠近所述过孔的第一部分和远离所述过孔的第二部分，所述第一部分的密度大于所述第二部分的密度。

本公开至少一实施例提供一种过孔的制备方法、阵列基板的制备方法以及阵列基板。该过孔的制备方法利用离子注入工艺，对绝缘层进行离子注入，增大离子注入区内的绝缘层密度，从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角，提高了过孔的质量，保证了过孔的有效性，改善或消除了利用该过孔进行电连接的像素电极与源漏电极层之间接触跨断的不良现象，提高了像素电极与源漏电极层之间电连接的稳定性，提升了产品的品质和良率。

需要理解的是本公开的上述概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的，用于进一步说明所要求的发明。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为一种绝缘层过孔的结构示意图；

图2为本公开一实施例提供的一种过孔的制备方法的流程图；

图3a-3f为本公开一实施例提供的一种过孔的制备方法的过程图；

图4a-4c为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制备方法的过程图。

具体实施方式