[发明专利]过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种过孔的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成绝缘层；

采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层以在所述绝缘层中形成凹槽；

对所述绝缘层的由所述凹槽暴露的部分进行离子注入，以形成离子注入区；

采用第二次刻蚀工艺刻蚀所述离子注入区内的绝缘层以形成贯穿所述绝缘层的过孔。

2.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其中，所述在所述衬底基板上形成绝缘层包括：

在所述衬底基板上依次形成第一绝缘子层和第二绝缘子层，进行所述离子注入前，所述第一绝缘子层的密度小于所述第二绝缘子层。

3.根据权利要求2所述的过孔的制备方法，其中，所述采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层以形成凹槽包括：

对所述第二绝缘子层进行刻蚀，并且在所述凹槽暴露出所述第一绝缘子层时停止刻蚀。

4.根据权利要求3所述的过孔的制备方法，其中，在所述离子注入中，对所述第一绝缘子层的由所述凹槽暴露的部分进行所述离子注入。

5.根据权利要求4所述的过孔的制备方法，其中，进行所述离子注入后，所述离子注入区内的第一绝缘子层的密度变大。

6.根据权利要求5所述的过孔的制备方法，其中，进行所述离子注入后，所述离子注入区内的第一绝缘子层的密度大于所述第二绝缘子层的密度。

7.根据权利要求2所述的过孔的制备方法，其中，形成所述绝缘层还包括：

在所述第二绝缘子层上形成第三绝缘子层，所述第三绝缘子层的密度小于所述第二绝缘子层的密度。

8.根据权利要求1-7任一项所述的过孔的制备方法，其中，所述离子为氮离子或氧离子。

9.根据权利要求8所述的过孔的制备方法，其中，所述绝缘层的材料为氮化硅。

10.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其中，在进行所述第一次刻蚀工艺之前，所述方法还包括在所述绝缘层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光和显影以形成光刻胶图案；所述第一次刻蚀工艺以所述光刻胶图案为掩模进行。

11.一种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-10任一项所述的过孔的制备方法。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，还包括：

在所述衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层和公共电极；

其中，所述绝缘层形成在所述公共电极上且与所述公共电极直接接触，且所述过孔暴露所述源漏电极层中的源极或漏极。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，还包括：

在形成有所述过孔的绝缘层上形成像素电极，

其中，所述像素电极通过所述过孔与所述源极或漏极电连接。

14.一种阵列基板，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的绝缘层；

贯穿所述绝缘层的过孔；

其中，所述绝缘层包括依次设置在所述衬底基板上的第一绝缘子层和第二绝缘子层，所述第一绝缘子层包括靠近所述过孔的第一部分和远离所述过孔的第二部分，所述第一部分的密度大于所述第二部分的密度。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，还包括：

依次设置在所述衬底基板上并且在所述衬底基板和所述绝缘层之间的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层和公共电极；

设置在所述绝缘层上的像素电极，

其中，所述绝缘层与所述公共电极直接接触，且所述像素电极通过所述过孔与所述源漏电极层中的源极或漏极电连接。