[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案是基于并主张来自2016年3月17日申请的第2016-53319号日本专利申请案的优先权的权益，所述日本专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本文所描述的实施例大体上涉及一种半导体装置及一种形成半导体装置的方法。

背景技术

在具有内建存储器芯片的半导体存储器装置(例如，NAND类型快闪存储器)中，微型化及高容量已快速发展。在半导体存储器装置中，为了实现微型化与高容量两者，多个存储器芯片被循序堆叠于布线衬底上，且这些半导体芯片由树脂层密封。为了减小此半导体装置的厚度，将最小化半导体芯片上的密封树脂层的厚度。此微型化可能在热处理(例如，焊接回流过程)期间致使翘曲。

树脂层通常翘曲，使得树脂层的上表面在室温下呈凸面且在高温下呈凹面。减小树脂层的厚度，尤其是在高温下，会增加翘曲。可通过调整密封树脂的性质、衬底材料的性质或衬底的厚度来抑制翘曲。然而，此类调整会增加材料成本或衬底成本。另外，在一些情况中，所需的仅仅通过调整衬底的材料性质或厚度的翘曲抑制在容差内是不可用的。因此，需要一种可抑制半导体装置的翘曲的具成本效益的技术。

发明内容

一般来说，根据一个实施例，一种半导体装置包含：衬底；一或多个半导体芯片，其安装于所述衬底上；密封树脂层，其密封所述一或多个半导体芯片；及膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成。

根据实施例，有可能以低成本获得优异的翘曲抑制效果。

附图说明

图1是说明根据第一实施例的半导体装置的横截面图。

图2是根据第一实施例的半导体装置的修改的横截面图。

图3是说明根据第二实施例的半导体装置的横截面图。

图4是说明根据第三实施例的半导体装置的横截面图。

具体实施方式

本文所描述的实施例提供一种可抑制高温下的翘曲的半导体装置。

在下文中，将参考图式描述根据实施例的半导体装置。在每一实施例中，相同元件符号将给予给相同或类似部件，且在一些情况中，将不重复其描述。图式是示意性的，且在一些情况中，各种尺寸、厚度及尺寸的比率可能会根据实施例的不同而不同。说明书中指示方向的术语，例如上及下，指示相对于基本的方向，且可能不对应于重力方向。

(第一实施例)

图1是说明根据第一实施例的半导体装置1的横截面图。图1中所说明的半导体装置1包含衬底2、安装于衬底2上的半导体芯片3与4、密封半导体芯片3及4的密封树脂层5、及覆盖密封树脂层5的上表面5a的翘曲调整膜6。如图2中所说明，可提供翘曲调整膜6，以便不仅覆盖密封树脂层5的上表面5a，而且覆盖密封树脂层5的侧表面及衬底2的侧表面。下文详细描述的实施例具有仅覆盖密封树脂层5的上表面5a的翘曲调整膜6。相对于图2的实施例，此实施例减小制造成本。

衬底2是布线网络(未说明)被提供于绝缘树脂衬底的表面上或内的布线衬底。一个实例是使用玻璃纤维环氧树脂或BT树脂(双马来酰亚胺三嗪树脂)的印刷布线板(多堆叠的印刷板)。印刷布线板的布线衬底2通常包含作为布线网络的铜(Cu)层7。布线衬底2包含第一表面2a(其为形成表面的外部端子)及第二表面2b(其为其上安装半导体芯片3及4的表面)。布线衬底2的第一表面2a包含外部电极8。

外部端子(未说明)形成于布线衬底2的外部电极8上。在其中半导体装置1被用作BGA封装的情况中，外部端子是使用焊接球或焊接镀层的突出端子。在其中半导体装置1被用作LGA封装的情况中，使用金(Au)镀层的金属平台作为外部端子。布线衬底2的第二表面2b(其为其上安装半导体芯片3及4的表面)包含内部电极9。内部电极9的至少一部分通过布线衬底2或外部电极8的布线网络被电连接到外部端子。