[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底；

半导体芯片，其安装于所述衬底上；

密封树脂层，其密封所述半导体芯片；及

膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述膜具有超过30GPa的杨氏模量及超过16.2×10^-6℃的热膨胀系数。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述半导体芯片上的所述密封树脂层的厚度等于或小于300μm。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述膜仅覆盖所述密封树脂层的所述上表面，且所述装置进一步包括覆盖所述膜的前表面、所述密封树脂层的侧表面及所述衬底的侧表面的导电屏蔽层及保护层中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述膜由金属化合物制成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包括导电屏蔽层及保护层中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述导电屏蔽层覆盖所述膜的前表面、所述密封树脂层的侧表面及所述衬底的侧表面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述保护层是防腐的。

10.一种半导体装置，其包括：

衬底；

半导体芯片，其安装于所述衬底上；

密封树脂层，其密封所述半导体芯片；及

膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度，其中所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述膜仅覆盖所述密封树脂层的所述上表面。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括导电屏蔽层及保护层中的至少一者。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述导电屏蔽层覆盖所述膜的前表面、所述密封树脂层的侧表面及所述衬底的侧表面。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述膜由具有等于或高于50GPa的杨氏模量的材料制成。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述导电屏蔽层连接到所述衬底的所述侧表面处的接地线。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述保护层是防腐的。

17.一种形成半导体装置的方法，其包括：

将多个半导体芯片粘附到布线衬底；

将所述半导体芯片电连接到所述布线衬底；

在所述衬底上方施加密封树脂；

在所述密封树脂的上表面上形成翘曲调整层，所述翘曲调整层由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成；及

将所述衬底分离到多个半导体装置中。

18.根据权利要求17所述的形成所述半导体装置的方法，其中所述翘曲调整膜具有超过30GPa的杨氏模量及超过16.2×10^-6℃的热膨胀系数。

19.根据权利要求17所述的形成所述半导体装置的方法，其进一步包括在所述半导体装置中的每一者上形成导电屏蔽层，所述导电屏蔽层覆盖所述翘曲调整膜的所述前表面且连接到所述布线衬底中的暴露的接地线。

20.根据权利要求19所述的形成所述半导体装置的方法，其进一步包括在所述导电屏蔽层上方形成防腐的保护层。