[发明专利]用于制备紫外LED芯片的方法

说明书

本发明公开了一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片。本发明用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，能提高紫外LED的性能。

技术领域

本发明涉及用于制备紫外LED芯片的方法。

背景技术

紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。

紫外LED的性能与紫外LED芯片息息相关，特别是紫外LED芯片的散热性能，很大程度上决定了紫外LED的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，能提高紫外LED的性能。

为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：

1）制备蓝宝石衬底；

2）将蓝宝石衬底抛光；

3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；

4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；

5）在GaN外延顶面制备电极；

6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；

按重量份计，所述基底由以下组分组成：

34～41份聚苯乙烯，

28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，

2～4份碳化硅，

3～5份酒石酸钾钠，

2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，

2～5份二苯基丁二酮，

1～4份苯三唑，

2～3份纳米氧化铈，

6～8份乙二醇单硬脂酸酯，

2～7份硼酸钙，

1～4份四丁基锡，

1～2份二茂铁，

2～3份三聚磷酸钠，

4～6份α-烯基磺酸钠。

优选的，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

34份聚苯乙烯，

28份氯磺化聚乙烯橡胶，

2份碳化硅，

3份酒石酸钾钠，

2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，

2份二苯基丁二酮，

1份苯三唑，

2份纳米氧化铈，

6份乙二醇单硬脂酸酯，

2份硼酸钙，

1份四丁基锡，

1份二茂铁，

2份三聚磷酸钠，