[发明专利]用于制备紫外LED芯片的方法

权利要求书

1.用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：

1）制备蓝宝石衬底；

2）将蓝宝石衬底抛光；

3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；

4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；

5）在GaN外延顶面制备电极；

6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；

其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

34～41份聚苯乙烯，

28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，

2～4份碳化硅，

3～5份酒石酸钾钠，

2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，

2～5份二苯基丁二酮，

1～4份苯三唑，

2～3份纳米氧化铈，

6～8份乙二醇单硬脂酸酯，

2～7份硼酸钙，

1～4份四丁基锡，

1～2份二茂铁，

2～3份三聚磷酸钠，

4～6份α-烯基磺酸钠。

2.根据权利要求1所述的用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

34份聚苯乙烯，

28份氯磺化聚乙烯橡胶，

2份碳化硅，

3份酒石酸钾钠，

2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，

2份二苯基丁二酮，

1份苯三唑，

2份纳米氧化铈，

6份乙二醇单硬脂酸酯，

2份硼酸钙，

1份四丁基锡，

1份二茂铁，

2份三聚磷酸钠，

4份α-烯基磺酸钠。

3.根据权利要求1所述的用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

41份聚苯乙烯，

32份氯磺化聚乙烯橡胶，

4份碳化硅，

5份酒石酸钾钠，

6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，

5份二苯基丁二酮，

4份苯三唑，

3份纳米氧化铈，

8份乙二醇单硬脂酸酯，

7份硼酸钙，

4份四丁基锡，

2份二茂铁，

3份三聚磷酸钠，

6份α-烯基磺酸钠。