[发明专利]将虚设图型用于套迭目标设计及套迭控制的方法

权利要求书

1.一种套迭目标计量的方法，该方法包含：

在第一层上提供第一虚设图型作为集成电路(IC)用的外套迭目标；

在第二层上提供与第二虚设图型相关联的图型作为用于测量套迭的目标；

利用扫描式电子显微镜(SEM)通过测量该第一虚设图型与该第二虚设图型的重心以获得该第一虚设图型与该第二虚设图型间的套迭测量，其中该第一虚设图型与该第二虚设图型分成不同颜色或对比色调；以及

基于该套迭测量来判定制程工具参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一层形成于衬底上方。

3.如权利要求2所述的方法，其中该衬底是分划板。

4.如权利要求3所述的方法，其中该套迭测量跨布该分划板的整体扩展。

5.如权利要求2所述的方法，其中该衬底是晶圆。

6.如权利要求5所述的方法，其中该套迭测量跨布该晶圆的整体扩展。

7.如权利要求1所述的方法，更包含：

将该套迭测量与数据库中所储存该IC有关的信息作比较。

8.如权利要求7所述的方法，更包含：

基于该套迭测量与该数据库中所储存该IC有关的该信息间的差异来调整该第一层与该第二层上该IC的微影制程。

9.如权利要求8所述的方法，其中该IC有关的该信息包括层厚、层应力、或光学套迭。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该制程工具参数是选自于局部化应力、热点或热预算。

11.一种套迭目标计量的方法，该方法包含：

在第一层上提供第一虚设图型作为集成电路(IC)用的第一套迭目标；

在第二层上提供第二虚设图型作为第二套迭目标；

利用扫描式电子显微镜(SEM)通过测量该第一虚设图型与该第二虚设图型的重心以获得该第一虚设图型与该第二虚设图型间的套迭测量，其中该第一虚设图型与该第二虚设图型分成不同颜色或对比色调；以及

基于该套迭测量来判定制程工具参数，

其中该第一层与该第二层当作图型层使用，

其中该第一虚设图型与该第二虚设图型当作填充材料使用。

12.如权利要求11所述的方法，其中该第一层与该第二层当作多图型层使用。

13.如权利要求11所述的方法，更包含：

将该套迭测量与数据库中所储存该IC有关的信息作比较。

14.如权利要求13所述的方法，更包含：

基于该套迭测量与该数据库中所储存该IC有关的该信息间的差异来调整该第一层与该第二层上该IC的微影制程。

15.如权利要求14所述的方法，其中该IC有关的该信息包括层厚、层应力、或光学套迭。

16.如权利要求11所述的方法，其中该第一层形成于衬底上方。

17.如权利要求16所述的方法，其中该衬底是分划板或晶圆。

18.如权利要求11所述的方法，其中，该制程工具参数是选自于局部化应力、热点或热预算。

19.如权利要求11所述的方法，更包含：

在第三层上提供第三虚设图型作为第三套迭目标；以及

利用该SEM获得该第一、第二与第三虚设图型间的该套迭测量。

20.一种套迭目标计量的方法，该方法包含：

在第一层上提供第一虚设图型作为集成电路(IC)用的第一套迭目标，该第一层形成于衬底上方；

在第二层上提供第二虚设图型作为第二套迭目标；

利用扫描式电子显微镜(SEM)通过测量该第一虚设图型与该第二虚设图型的重心以获得该第一虚设图型与该第二虚设图型间的套迭测量，其中该第一虚设图型与该第二虚设图型分成不同颜色或对比色调；

将该套迭测量与数据库中所储存该IC有关的信息作比较；

基于该套迭测量与该数据库中所储存该IC有关的该信息间的差异来调整该第一层与该第二层上该IC的微影制程；以及

基于该套迭测量来判定制程工具参数，

其中该第一层与该第二层当作多图型层使用，

其中该第一虚设图型与该第二虚设图型当作填充材料使用。