[发明专利]半导体器件、显示装置和它们的制作方法

说明书

本发明提供一种显示出优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制作方法。或者提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制作方法。本发明提供的半导体器件包括：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于第1晶体管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；和端子，其通过绝缘膜内的开口部与氧化物半导体膜电连接。绝缘膜具有与端子接触的第1区域，第1区域与绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。

技术领域

本发明的实施方式之一涉及半导体器件、具有半导体器件的显示装置和它们的制作方法。

背景技术

作为表示半导体特性的代表性例子，能够举出硅元素(硅)和锗等第14族元素。特别是由于硅容易获得、容易加工、半导体特性优良、特性容易控制等，几乎在所有的半导体器件中使用，被定位为支撑电子学产业的基干的材料。

近年来，发现在氧化物、特别是铟和镓等13族元素的氧化物中存在半导体特性，以此为契机进行了全力以赴的研究开发。作为展现出半导体特性的氧化物(以下称为氧化物半导体)的代表例，已知有铟镓氧化物(IGO)和铟镓锌氧化物(IGZO)等。最近的全力以赴的研究开发的结果，已经达到具有包含这些氧化物半导体的晶体管作为半导体元件的显示装置上市销售的程度。此外，例如如日本特开2015-225104号公报、国际公开第2015-031037号公报、美国专利申请公开第2010/0182223号公报所公开的，组装有将具有含硅半导体(以下称为硅半导体)的晶体管和具有氧化物半导体的晶体管这两者的半导体器件也已被开发。

发明内容

解决技术问题的技术方案

本发明的实施方式之一是一种半导体器件，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于第1晶体管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；和端子，其通过绝缘膜内的开口部与氧化物半导体膜电连接。绝缘膜具有与端子接触的第1区域，第1区域与绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。

本发明的实施方式之一是一种显示装置，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于第1晶体管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；端子，其通过绝缘膜内的开口部与氧化物半导体膜电连接；端子上的平坦化膜；和平坦化膜上的显示元件。绝缘膜具有与端子接触的第1区域，第1区域与绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。

本发明的实施方式之一是一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成第1晶体管，该第1晶体管具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，在第1晶体管上形成具有第1膜和第1膜上的第2膜的绝缘膜，在绝缘膜形成开口部，在开口部的表面部分以使得绝缘膜具有与其它区域相比氧的组成大的第1区域的方式对绝缘膜进行氧化，以与氧化物半导体膜电连接的方式在开口部形成端子。

附图说明

图1A、图1B表示本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图和氧组成曲线图。

图2A至图2D是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制作方法的截面示意图。

图3A至图3D是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制作方法的截面示意图。

图4A至图4C是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制作方法的截面示意图。

图5A至图5C表示本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图和氧组成曲线图。

图6A至图6C是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制作方法的截面示意图。

图7A、图7B是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制作方法的截面示意图。