[发明专利]半导体器件、显示装置和它们的制作方法有效
| 申请号： | 201710116647.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107240608B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 它们 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：
第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；
绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；和
端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接，
所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，
所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1区域的所述氧的组成随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1区域的所述氧的组成在与所述衬底的表面平行的方向上随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第1膜含有硅和氧，
所述第2膜含有硅和氮，
所述第1区域包含于所述第2膜。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
所述绝缘膜在所述第2膜上还具有第3膜，
所述第3膜含有硅和氧。
6.一种显示装置，其特征在于，具有：
第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；
绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；
端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接；
所述端子上的平坦化膜；和
所述平坦化膜上的显示元件，
所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，
所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述第1区域的所述氧的组成随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。
8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述显示元件与所述端子电连接。
9.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
还具有第2晶体管，该第2晶体管具有含硅的半导体膜、栅极电极和所述半导体膜与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜，
所述第2晶体管的所述栅极电极与所述第1晶体管电连接，
所述显示元件与所述第2晶体管电连接。
10.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
具有显示区域和驱动电路区域，
所述第1晶体管设置于所述显示区域，
所述驱动电路区域具有第2晶体管，该第2晶体管具有含硅的半导体膜、栅极电极和所述半导体膜与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜。
11.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述第1区域的所述氧的组成在与所述衬底的表面平行的方向上随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。
12.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述第1膜含有硅和氧，
所述第2膜含有硅和氮，
所述第1区域包含于所述第2膜。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于：
所述绝缘膜在所述第2膜上还具有第3膜，
所述第3膜含有硅和氧。
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