[发明专利]显示基板母板及其制作方法、紫外光光强监测方法及设备

权利要求书

1.一种紫外光光强监测方法，其特征在于，利用显示基板母板来监测光配向过程中的紫外光光强，所述显示基板母板的非显示区域设置有至少一个光敏晶体管，在受到紫外光照射后，所述光敏晶体管的TFT特性参数能够发生变化，所述方法包括：

在对所述显示基板母板进行光配向之前，获取所述光敏晶体管的第一TFT特性参数；

在对所述显示基板母板进行光配向之后，在所述光敏晶体管的光学特性发生变化前获取所述光敏晶体管的第二TFT特性参数；

比对所述第一TFT特性参数和所述第二TFT特性参数，计算出光配向过程中的紫外光光强。

2.根据权利要求1所述的紫外光光强监测方法，其特征在于，所述光敏晶体管的有源层所采用材料的带隙宽度E与紫外光的波长λ满足E＝hc/λ，其中，h为普朗克常数，c为光速。

3.根据权利要求1所述的紫外光光强监测方法，其特征在于，所述监测方法具体包括：

在对所述显示基板母板进行光配向之前，在所述光敏晶体管处于关断状态时，获取所述光敏晶体管的第一源漏电流I₁；

在对所述显示基板母板进行光配向之后，在所述显示基板母板上的光敏晶体管的电学特性变化前获取所述光敏晶体管处于关断状态时的第二源漏电流I₂；

根据公式计算得到光配向过程中的紫外光光强P，其中，R为预先获取的标定系数。

4.根据权利要求3所述的紫外光光强监测方法，其特征在于，所述方法还包括获取标定系数R的步骤，获取标定系数R的步骤包括：

在对测试用显示基板母板进行光配向之前，在测试用显示基板母板上的光敏晶体管处于关断状态时，获取所述光敏晶体管的第一测试源漏电流I_测1；

将紫外光探测器放在所述测试用显示基板母板上进入光配向设备中；

对所述测试用显示基板母板进行光配向，并获得所述紫外光探测器检测到的紫外光能量密度E_测；

利用公式P_测＝E_测·S计算得到测试紫外光光强P_测，其中，S为测试用显示基板母板上光敏晶体管的沟道面积；

在对测试用显示基板母板进行光配向之后，在测试用显示基板母板上的光敏晶体管的电学特性变化前获取所述光敏晶体管处于关断状态时的第二测试源漏电流I_测2；

利用公式获取标定系数R。

5.一种紫外光光强监测设备，其特征在于，利用显示基板母板来监测光配向过程中的紫外光光强，所述显示基板母板的非显示区域设置有至少一个光敏晶体管，在受到紫外光照射后，所述光敏晶体管的TFT特性参数能够发生变化，所述设备包括：

第一检测模块，用于在对所述显示基板母板进行光配向之前，获取所述光敏晶体管的第一TFT特性参数；

第二检测模块，用于在对所述显示基板母板进行光配向之后，在所述光敏晶体管的光学特性发生变化前获取所述光敏晶体管的第二TFT特性参数；

计算模块，用于比对所述第一TFT特性参数和所述第二TFT特性参数，计算出光配向过程中的紫外光光强。

6.根据权利要求5所述的紫外光光强监测设备，其特征在于，所述光敏晶体管的有源层所采用材料的带隙宽度E与紫外光的波长λ满足E＝hc/λ，其中，h为普朗克常数，c为光速。

7.根据权利要求5所述的紫外光光强监测设备，其特征在于，

所述第一检测模块具体用于在对所述显示基板母板进行光配向之前，在所述光敏晶体管处于关断状态时，获取所述光敏晶体管的第一源漏电流I₁；

所述第二检测模块具体用于在对所述显示基板母板进行光配向之后，在所述显示基板母板上的光敏晶体管的电学特性变化前获取所述光敏晶体管处于关断状态时的第二源漏电流I₂；

所述计算模块具体用于根据公式计算得到光配向过程中的紫外光光强P，其中，R为预先获取的标定系数。

8.根据权利要求7所述的紫外光光强监测设备，其特征在于，所述设备还包括标定系数R获取模块，所述标定系数R获取模块包括：

第一测试单元，用于在对测试用显示基板母板进行光配向之前，在测试用显示基板母板上的光敏晶体管处于关断状态时，获取所述光敏晶体管的第一测试源漏电流I_测1；

处理单元，用于将紫外光探测器放在所述测试用显示基板母板上进入光配向设备中，对所述测试用显示基板母板进行光配向，并获得所述紫外光探测器检测到的紫外光能量密度E_测；

第一计算单元，用于利用公式P_测＝E_测·S计算得到测试紫外光光强P_测，其中，S为测试用显示基板母板上光敏晶体管的沟道面积；

第二测试单元，用于在对测试用显示基板母板进行光配向之后，在测试用显示基板母板上的光敏晶体管的电学特性变化前获取所述光敏晶体管处于关断状态时的第二测试源漏电流I_测2；

第二计算单元，用于利用公式获取标定系数R。