[发明专利]一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710112033.9 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107086246B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵杨杨;刘洪军;王佃利;应贤炜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 ldmos 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于：对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成PolySi/SiO2栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除PolySi上面的SiO2层，形成PolySi薄栅结构；
包括如下具体步骤：
（1）在栅氧化层表面LPCVD淀积掺杂PolySi；
（2）在掺杂PolySi表面LPCVD淀积SiO2；
（3）光刻、干法刻蚀表面SiO2，终止于掺杂PolySi；ICP刻蚀掺杂PolySi，终止于栅氧化层；去除光刻胶，形成PolySi/SiO2栅结构；
（4）采用栅自对准技术，进行射频LDMOS的沟道、漂移区、源漏的常规掺杂；
（5）在栅结构和栅氧化层表面LPCVD淀积SiO2覆盖层；
（6）在SiO2覆盖层表面旋涂一层均匀的光刻胶；
（7）采用等离子胶回刻，去除栅表面的光刻胶，露出栅表面的SiO2覆盖层；
（8）湿法刻蚀栅表面的SiO2，终止于PolySi；
（9）去除表面残留的全部光刻胶；
（10）光刻、干法刻蚀源漏合金区，终止于硅衬底表面，去除光刻胶；
（11）在硅表面溅射金属层，进行高温合金退火，形成栅源漏合金；
（12）去除硅表面未形成合金的残留金属。
2.根据权利要求1所述的一种射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于，步骤（1）中的栅氧化层厚度为100Å~500Å；所述掺杂PolySi厚度为2000Å~4000Å，掺杂PolySi为掺磷PolySi或掺砷PolySi。
3.根据权利要求1所述的射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）中的SiO2厚度为1500 Å~3500 Å。
4.根据权利要求1所述的射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于，步骤（5）中的SiO2覆盖层厚度为300 Å~1000 Å。
5.根据权利要求1所述的射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于，步骤（6）中的光刻胶厚度为0.7µm~1.5µm。
6.根据权利要求1所述的射频LDMOS的薄栅结构的制备方法，其特征在于，步骤（11）中的金属层为钴、钛、钼或铂。
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