[发明专利]缺陷检测装置和缺陷检测方法

权利要求书

1.一种缺陷检测装置，具备：

测定部，测定向被检查装置输入信号之后到接收由上述被检查装置的缺陷部位反射的反射信号为止的第1时间；

存储部，存储表示与多个部件或多个部分分别相应的传导特性的多个模型数据；

控制部，对于上述被检查装置内的检查对象的范围，基于各区域的传导特性，将上述检查对象的范围分割出第1部分、以及比上述第1部分远离测定部的第2部分，将第2时间代入与上述第2部分对应的上述模型数据来运算上述第2部分中的第1预测传导距离，该第2时间是从上述第1时间减去与向上述第1部分输入上述信号之后反射而接收所花费的时间相当的时间而得到的时间；以及

显示部，基于上述运算结果，在图像数据显示上述缺陷部位的位置。

2.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，

上述控制部按布线的每单位的电阻值不同的各区域进行分割。

3.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，

上述第1部分的特性数据与上述第2部分的上述特性数据中，布线的宽度、材料或形状不同。

4.根据权利要求3所述的缺陷检测装置，

上述第1部分的上述特性数据与第2部分的上述特性数据中，焊料球或通孔的圆形形状、上述焊料球或上述通孔的直径的大小、或者上述焊料球或上述通孔的材料不同。

5.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，

上述控制部，

将上述被检查对象的范围进一步分割出比上述第2部分远离测定部的第3部分，

将第3时间代入与上述第3部分对应的上述模型数据来运算上述第3部分中的第2预测传导距离，该第3时间是从上述第1时间减去与向上述第1部分以及上述第2部分输入上述信号之后反射而接收所花费的时间相当的时间而得到的时间。

6.根据权利要求1所述的缺陷检查装置，

上述控制部读出在上述检查对象的范围内按上述信号传导的顺序排列的模型数据，将上述第1时间代入上述模型数据来运算上述第1预测传导距离或上述第2预测传导距离。

7.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

上述缺陷检测装置适用于上述被检查装置的实际安装工序中的布线或连接部的短路或者断线的检测。

8.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

上述被检查装置是层叠形成了半导体芯片并设置有球端子的树脂密封型半导体装置。

9.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

上述被检查装置是层叠形成了非易失性半导体存储芯片的SSD卡或SD卡。

10.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

在将C_o作为光速、将ε_ef作为有效相对介电常数、将A作为常数时，到上述被检查装置的缺陷部位为止的距离L和作为反射波测定时间的上述第1时间t的关系用下述式表示：

L＝(C_o×t)/{2×ε_ef^(1/2)}+A。

11.一种缺陷检测方法，具有：

测定向被检查装置输入信号之后到接收由上述被检查装置的缺陷部位反射的反射信号为止的第1时间的步骤；

抽出上述被检查装置内的检查对象的范围的步骤；

基于上述检查对象的范围内的各区域的传导特性，将上述检查对象的范围分割出第1部分、以及比上述第1部分远离测定部的第2部分的步骤；以及

将第2时间代入表示与上述检查装置的多个部件或多个部分分别相应的传导特性的多个模型数据中的、与上述第2部分对应的上述模型数据，来运算上述第2部分中的第1预测传导距离的步骤，该第2时间是从上述第1时间减去与向上述第1部分输入上述信号之后反射而接收所花费的时间相当的时间而得到的时间。