[发明专利]晶圆背面研磨方法

说明书

本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。本发明可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生ESD。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆背面研磨方法。

背景技术

半导体产品的小型薄型化是现今的趋势，集成电路的量产工艺中，缩减尺寸的方法之一为采用极薄半导体晶片，另一种方法采用背面研磨方法以缩减半导体晶片的厚度。因此，在晶圆上集成电路制作工序之后和晶圆切割工序之前，还包括有晶圆背面研磨工序，以使得晶圆上多个晶片能够一次完成薄化处理。

然而传统的方法在进行底面研磨的时候，对于表面的集成电路没有好的防护，造成其大面积的物理损伤以及对集成电路造成静电放电损害(ESD)。

故此，亟需一种改进的晶圆背面研磨方法以克服以上缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆背面研磨方法，其可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生ESD。

为实现上述目的，本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；

其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：

在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；

将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及

在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。

与现有技术相比，本发明的晶圆背面研磨方法在背面研磨之间贴附保护胶带于晶圆的正面，保护胶带的贴附效果良好，平整无气泡，使得背面研磨时保证研磨均匀性，并保护正面的集成电路免受物理损伤以及ESD。

较佳地，在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度的步骤具体包括：在所述晶圆的正面均匀选取多个所述测量点。

较佳地，在测量所述晶圆的厚度之后还包括：清洁所述晶圆的所述正面。

较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：所述晶圆放置在真空台上，真空压力大于70Kpa。

较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：研磨方向与研磨轮的中心轴的运动方向相反。

较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：控制研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨时间为2～3分钟，研磨移除量为10～12μm。

较佳地，在所述晶圆的背面进行研磨之后，还包括：去除所述晶圆的正面的保护胶带。

较佳地，在去除所述晶圆的正面的保护胶带之后，还包括：采用异丙醇溶剂清洗所述晶圆。

较佳地，采用异丙醇溶剂在超声波的环境下清洗所述晶圆，异丙醇溶剂的温度为30～40度.

较佳地，所述保护胶带为UV保护胶带。

附图说明

图1为本发明晶圆背面研磨方法中的晶圆厚度测量示意图。