[发明专利]晶圆背面研磨方法在审
| 申请号： | 201710108299.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108500826A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黄海冰 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;B24B37/34;B24B55/00;B24B1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 保护胶带 研磨 测量点 贴附 集成电路 晶圆背面 背面 测量 表面处 覆盖 保证 | ||
1.一种晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；
其特征在于，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：
在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及
在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
2.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度的步骤具体包括：在所述晶圆的正面均匀选取多个所述测量点。
3.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在测量所述晶圆的厚度之后还包括：清洁所述晶圆的所述正面。
4.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：所述晶圆放置在真空台上，真空压力大于70Kpa。
5.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：研磨方向与研磨轮的中心轴的运动方向相反。
6.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：控制研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨时间为2～3分钟，研磨移除量为10～12μm。
7.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在所述晶圆的背面进行研磨之后，还包括：去除所述晶圆的正面的保护胶带。
8.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在去除所述晶圆的正面的保护胶带之后，还包括：采用异丙醇溶剂清洗所述晶圆。
9.如权利要求8所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：采用异丙醇溶剂在超声波的环境下清洗所述晶圆，异丙醇溶剂的温度为30～40度。
10.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：所述保护胶带为UV保护胶带。
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