[发明专利]用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备

说明书

本发明提供一种用于干法刻蚀的承载装置和干法刻蚀设备，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。本发明的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。

技术领域

本发明涉及液晶产品制作技术领域，尤其涉及一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备。

背景技术

液晶显示装置生产行业中，玻璃基板在进行干法刻蚀时，一般采用等离子对玻璃基板进行刻蚀，如图1所示，目前技术中的干法刻蚀设备，包括上部电极(图中未示)和下部电极2，基板1承载于下部电极2上，基板1的中心与下部电极2的中心重合，基板1的面积大于下部电极2的面积，且基板1和下部电极2一般均是矩形结构，基板1外露于下部电极2的第一区域形成由四个边首尾相接形成的环形框架结构，框架结构的每个边的宽度a为15mm，干法刻蚀设备还包括用于支撑于基板1的第一区域的支撑结构，利用上部电极和下部电极形成的电场对等离子体进行引导和加速以实现对基板进行刻蚀的目的，但是由于基板的面积大于下部电极的面积，导致基板的边缘外露于下部电极，基板的边缘区域无电场效果，对自由基和离子吸引力较小，刻蚀率较低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备，提升基板的刻蚀率。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于干法刻蚀的承载装置，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。

进一步的，还包括在所述下部电极的面积大于待刻蚀基板的面积时、围设于待刻蚀基板四周的边框，所述边框包括完全覆盖于所述下部电极未承载待刻蚀基板的区域的第一部分。

进一步的，所述边框还包括覆盖待刻蚀基板边缘区域的第二部分。

进一步的，所述第二部分为由四个边首尾相接形成的矩形环形结构，每个边的宽度为2mm-3mm。

进一步的，所述边框采用陶瓷材质制成。

进一步的，所述边框的表面涂覆有氧化钇。

进一步的，还包括用于控制所述边框升降的升降结构，所述边框还包括外露于所述下部电极的第三部分，所述升降结构包括：

升降部，能够与所述第三部分连接；

驱动部，用于驱动所述升降部在第一状态和第二状态之间转换；

所述第一状态为所述升降部在所述驱动部的驱动下与所述第三部分连接并带动所述边框升降；所述第二状态为在所述边框与所述下部电极接触或所述边框与所述基板边缘区域接触后、所述升降部继续下降以与所述第三部分分离。

进一步的，所述升降部为与所述驱动部驱动连接的升降杆，所述第三部分靠近下部电极的一面设置有可供所述升降杆插入的插槽。

进一步的，所述升降杆为光杆，所述光杆的表面具有经阳极氧化处理形成的金属氧化物薄膜。

本发明还提供一种干法刻蚀设备，包括上述的用于干法刻蚀的承载装置。

本发明的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。

附图说明

图1表示现有技术中干法刻蚀设备结构示意图；

图2表示本发明一实施例中干法刻蚀设备结构俯视图；

图3表示本发明另一实施例中干法刻蚀设备结构俯视图；

图4表示本发明另一实施例中升降部位于第一状态时干法刻蚀设备结构示意图；