[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构上自下至上依次形成有第一掩膜层和第二掩膜层，所述栅极结构以外的半导体衬底上形成有刻蚀停止层；

形成一电介质层，所述电介质层覆盖所述第二掩膜层和刻蚀停止层；

在所述电介质层上形成图形化的第三掩膜层；

以所述第三掩膜层为掩膜，进行第一次选择性刻蚀，去除部分所述电介质层，并去除至少部分厚度的所述第二掩膜层；以及

以所述第三掩膜层为掩膜，进行第二次选择性刻蚀，去除部分所述刻蚀停止层，在所述第二次选择性刻蚀中，所述刻蚀停止层的刻蚀速率大于所述第一掩膜层的刻蚀速率。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层和刻蚀停止层的材料均包括氮化硅，且所述第一掩膜层中氮化硅的密度低于所述刻蚀停止层中氮化硅的密度。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用第一化学气相沉积工艺形成所述第一掩膜层，所述第一化学气相沉积工艺的温度小于500℃。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用第二化学气相沉积工艺或炉管工艺形成所述刻蚀停止层，所述第二化学气相沉积工艺的温度大于等于500℃。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一次选择性刻蚀为干法刻蚀，所述第一次选择性刻蚀的刻蚀气体包括氢氟气体、氢氟烃气体、氩气、氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳或羰基硫中的几种。

6.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二次选择性刻蚀为干法刻蚀，射频偏压为30W～100W。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二次选择性刻蚀的刻蚀气体包括氢氟烃气体、氩气和氧化性气体。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述进行第一次选择性刻蚀的步骤中，剩余至少部分厚度的所述第二掩膜层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层的剩余厚度小于所述刻蚀停止层的厚度。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层的剩余厚度大于等于

11.如权利要求1至7中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间介质层以及控制栅。

12.如权利要求1至7中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层和刻蚀停止层的材料相同。

13.如权利要求1至7中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度大于所述刻蚀停止层的厚度。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述提供半导体衬底的步骤包括：

提供所述半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极膜层；

在所述栅极膜层上形成第一掩膜；

在所述第一掩膜上形成第二预掩膜；

选择性刻蚀所述第二预掩膜、第一掩膜以及栅极膜层，形成所述栅极结构以及位于所述栅极结构上的第一掩膜层以及第二预掩膜层；

形成刻蚀停止膜，所述刻蚀停止膜覆盖所述第二预掩膜层和所述栅极结构以外的半导体衬底。