[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；

第一绝缘层，位于该基底上；

第一重布线层，位于该第一绝缘层上，其中该第一重布线层的第一部分及第二部分电性连接至该导电垫；

第二绝缘层，其中该第二绝缘层顺应性地延伸于该第一绝缘层上且包覆该第一部分及该第二部分的侧表面；以及

保护层，位于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层的一部分位于该保护层与该第一绝缘层之间。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的该部分与该第一绝缘层及该保护层直接接触。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的该部分夹设于该第一重布线层的该第一部分与该第二部分之间。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括导电结构，其中该导电结构位于该第一重布线层的该第二部分上，且该导电结构的下部被该保护层及该第二绝缘层所环绕。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的另一部分侧向地夹设于该第一重布线层的该第一部分与该保护层之间。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的材料不同于该保护层的材料。

7.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；

第一绝缘层，位于该基底上；

第一重布线层，位于该第一绝缘层上，其中该第一重布线层的第一部分电性连接至该导电垫；以及

第二重布线层，其中该第二重布线层的第一部分位于该第一重布线层的该第一部分上，且该第二重布线层的第二部分直接接触该第一绝缘层。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二重布线层的该第二部分纵向地重叠于该感测区或元件区。

9.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第一重布线层的该第一部分局部夹设于该第一绝缘层与该第二重布线层的该第一部分之间。

10.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第一重布线层的该第一部分局部夹设于该导电垫与该第二重布线层的该第一部分之间。

11.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二重布线层的该第二部分的底表面低于该第二重布线层的该第一部分的底表面，且与该第一重布线层的该第一部分的底表面共平面。

12.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第一重布线层的材料不同于该第二重布线层的材料。

13.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包括第二绝缘层，其中该第二绝缘层顺应性地延伸于该第一绝缘层上且包覆该第一重布线层的该第一部分的侧表面、该第二重布线层的该第一部分及该第二部分的侧表面。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的一部分夹设于该第一重布线层的该第一部分与该第二重布线层的该第二部分之间。

15.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包括保护层，该保护层位于该第二重布线层上，且直接接触该第一绝缘层、该第一重布线层及该第二重布线层。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体，其特征在于，该保护层的一部分夹设于该第一重布线层的该第一部分与该第二重布线层的该第二部分之间。

17.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；

在该基底上形成第一绝缘层；

在该第一绝缘层上形成第二重布线层，其中该第二重布线层的第一部分及第二部分电性连接至该导电垫；

形成第二绝缘层，其中该第二绝缘层顺应性地延伸于该第一绝缘层上且包覆该第二重布线层的该第一部分及该第二部分的侧表面；以及

在该第二绝缘层上形成保护层，其中该第二绝缘层的一部分位于该保护层与该第一绝缘层之间。