[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

导电部；

绝缘层，其具有使所述导电部的至少一部分露出的露出部；

分子接合层，其至少设置于所述绝缘层的表面上；和

金属镀层，其通过所述分子接合层而与所述绝缘层的表面接合，

其中，所述分子接合层的至少一部分与所述绝缘层中包含的绝缘原材料化学键合，

所述分子接合层的至少一部分与所述金属镀层中包含的第1金属化学键合，

所述金属镀层通过所述露出部与所述导电部电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述分子接合层包含与所述绝缘原材料和所述第1金属这两者发生了共价键合的分子接合体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述分子接合层还设置于露出到所述露出部中的所述导电部的表面，

所述分子接合层的至少一部分与所述导电部中包含的第2金属发生了化学键合。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述分子接合层包含与所述第1金属和所述第2金属这两者发生了共价键合的分子接合体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述分子接合层包含设置于与所述露出部不同的所述绝缘层的表面上的第1部分、设置于所述露出部的内表面的第2部分、和设置于露出到所述露出部中的所述导电部的表面上的第3部分，

所述金属镀层与所述分子接合层的所述第1部分、所述第2部分、及所述第3部分接合。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述金属镀层具有沿着与所述露出部不同的所述绝缘层的表面设置且与所述分子接合层的所述第1部分接合的导线、和设置于所述露出部中且与所述分子接合层的所述第2部分及所述第3部分接合的导电孔。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述导电部为半导体芯片的导电衬垫。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述金属镀层为包含来自所述半导体芯片的电信号及向所述半导体芯片的电信号中的至少一者流过的导线的再布线层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述分子接合层包含三嗪二硫醇残基。

10.一种半导体装置的制造方法，其中，

通过在具有使导电部的至少一部分露出的开口部的绝缘层的表面上涂布分子接合剂而形成分子接合层，

至少通过对所述分子接合层的表面实施金属镀覆处理，形成通过所述开口部与所述导电部电连接、同时包含与所述分子接合层发生了化学键合的第1金属的金属镀层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述金属镀覆处理包含非电解镀覆处理。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述金属镀覆处理包括将包含所述第1金属的金属离子溶液及还原剂溶液分别进行喷雾的喷雾镀覆处理。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述喷雾镀覆处理为自催化型非电解镀覆。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1金属为选自由铜、银及镍组成的组中的至少1种。

15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述分子接合层通过在露出到所述开口部中的所述导电部的表面上与所述绝缘层的表面一起涂布所述分子接合剂来形成。

16.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述金属镀层为包含电信号流过的导线的再布线层，

所述方法包括以下步骤：

形成所述金属镀层；

通过至少对所述分子接合层的表面使用所述第1金属实施第1金属镀覆处理，形成成为所述再布线层的生长起点的种子层，和

通过在所述种子层上实施第2金属镀覆处理，在所述种子层上形成所述再布线层的主体部。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1金属镀覆处理为非电解镀覆处理。