[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

实施方式涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法。

背景技术

一些半导体器件可以包括在其中半导体基板与绝缘层接触的结构。半导体基板可以包括结晶半导体材料。

发明内容

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：半导体基板，具有晶体结构并且包括沟槽，该半导体基板的顶表面具有在晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽在晶体结构的<230>晶向族中包括的一个方向上延伸。

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：半导体基板，包括由器件隔离层限定的有源区；以及沟槽，与有源区交叉以延伸到器件隔离层中，半导体基板具有晶体结构；在沟槽中的栅电极；在栅电极和半导体基板之间的栅绝缘层；以及在沟槽两侧的源/漏极区，其中沟槽包括内侧壁，该内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括半导体基板，半导体基板具有晶体结构并且包括由器件隔离层限定的有源图案，该有源图案具有侧壁，该侧壁包括在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面；与有源图案交叉的栅电极；在栅电极和有源图案之间的栅绝缘层；以及在栅电极两侧的源/漏极区。

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：具有晶体结构的半导体基板；限定半导体基板的像素区域的第一器件隔离层，该像素区域包括第一侧壁，该第一侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面；阱掺杂剂层，形成在像素区域中，该阱掺杂剂层邻近像素区域的顶表面并且具有与半导体基板不同的导电类型；第二器件隔离层，形成在阱掺杂剂层中以限定彼此间隔开的第一有源部分和第二有源部分；传输栅极，在第一有源部分的阱掺杂剂层上；以及浮置扩散区，形成在第一有源部分中在传输栅极的一侧。

实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：包括沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包括的至少一个面或关于晶体结构的{320}晶面族具有2度以内的角度的面。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，多个特征对于本领域的普通技术人员来说将是明显的，在图中：

图1A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图1B示出沿图1A的线I-I'截取的截面图。

图2A示出不包括界面陷阱的半导体的能带图。

图2B和2C示出包括界面陷阱的半导体的能带图。

图3示出在具有彼此不同晶面的内侧壁处二维界面陷阱浓度与本征费米能级和界面陷阱能级之差的曲线图。

图4A和5A示出在根据一些实施方式的用于制造半导体器件的方法中的阶段的平面图。

图4B和5B分别示出沿图4A和5A的线I-I'截取的截面图。

图6A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图6B示出沿图6A的线I-I'截取的截面图。

图6C示出沿图6A的线II-II'截取的截面图。

图7A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图7B、7C和7D分别示出沿图7A的线I-I'、II-II'和III-III'截取的截面图。

图8A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图8B示出沿图8A的线I-I'截取的截面图。

图8C示出沿图8A的线II-II'截取的截面图。

具体实施方式

图1A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。图1B示出沿图1A的线I-I'截取的截面图。