[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括：

由器件隔离层限定的有源区；以及

沟槽，与所述有源区交叉以延伸到所述器件隔离层中，所述半导体基板具有晶体结构；

在所述沟槽中的栅电极；

栅绝缘层，在所述栅电极和所述半导体基板之间；以及

源/漏极区，在所述沟槽的两侧，

其中所述沟槽包括内侧壁，所述内侧壁具有在所述晶体结构的{320}晶面族中包括的至少一个面或关于所述{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体基板的顶表面具有在所述晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体基板具有金刚石晶体结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体基板是单晶硅基板或单晶锗基板。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述栅绝缘层与所述半导体基板接触，以及

所述栅绝缘层包括硅氧化物层或硅氮氧化物层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述半导体基板的顶表面具有所述晶体结构的(001)面，以及

所述沟槽在所述晶体结构的[-230]方向上延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

当在平面图中看时，所述沟槽在第一方向上延伸，

当在平面图中看时，所述有源区有具有在第二方向上的长轴的矩形形状，以及

当在平面图中看时，所述第一方向和所述第二方向之间的角度在从65.38度到69.38度的范围。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述有源区包括在所述第二方向上延伸的侧壁，以及

所述有源区的所述侧壁具有所述晶体结构的(3-20)面。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述第一方向是所述晶体结构的[-230]方向，以及

所述第二方向是所述晶体结构的[230]方向。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位线，电连接到所述源/漏极区之一；以及

数据存储部，电连接到所述源/漏极区的另一个。

11.一种半导体器件，包含：

半导体基板，具有晶体结构并且包括由器件隔离层限定的有源图案，所述有源图案包括侧壁，所述侧壁具有在所述晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或关于所述{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面；

栅电极，与所述有源图案交叉；

栅绝缘层，在所述栅电极和所述有源图案之间；以及

源/漏极区，在所述栅电极的两侧。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述半导体基板的顶表面具有在所述晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述半导体基板具有金刚石晶体结构。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述栅绝缘层与所述半导体基板接触，以及

所述栅绝缘层包括硅氧化物层或硅氮氧化物层。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述半导体基板的顶表面具有所述晶体结构的(001)面，以及

所述有源图案在所述晶体结构的[-230]方向上延伸。