[发明专利]一种延时电路及电子装置有效

专利信息
申请号: 201710097476.5 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN108462485B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 王俊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K17/284 分类号: H03K17/284;H03K17/687
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;张建
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 延时 电路 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种延时电路,其特征在于,包括:

电流源,所述电流源配置为提供基准电流;

第一电流镜和第二电流镜,所述第一电流镜和所述第二电流镜的输入端与所述电流源连接,所述第一电流镜和所述第二电流镜的输出端彼此连接,所述第一电流镜包括第一晶体管和第二晶体管,所述第二晶体管的宽长比是所述第一晶体管宽长比的M倍,所述第一晶体管的漏极与所述电流源连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极以及所述第二晶体管的栅极连接,所述第一晶体管的源极用于与地电压连接,所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接,所述第二晶体管的源极用于与地电压连接,所述第二晶体管的漏极与所述第二电流镜的输出端连接;

电容,所述电容设置在所述第一电流镜的输入端和输出端之间,所述电容的第一端与所述第二晶体管的漏极连接,所述电容的第二端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极连接;

开关元件,所述开关元件配置为控制所述电容的充放电;

比较器,所述比较器配置为将所述电容上的电压与基准电压进行比较,并在所述电容上的电压大于所述基准电压时翻转,

其中,所述第一电流镜输出端电流是输入端电流的M倍,所述第二电流镜输出端电流是输入端电流的N倍,M,N为正数,并且M<N<2M+1,电容的充电电流等于(N-M)/(M+1)的基准电流,使电容充电电流减小,通过控制镜像电流比例来控制电容充电电流,使得电路延时增加倍数精确可控。

2.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于,N等于M+1。

3.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于,所述开关元件的一端与所述电容的第一端的连接,另一端用于与所述地电压连接。

4.根据权利要求3所述的延时电路,其特征在于,所述比较器的第一输入端与所述电容的第一端连接,所述比较器的第二输入端与所述基准电压连接。

5.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于,

所述第二电流镜包括第三晶体管和第四晶体管,所述第四晶体管的宽长比是所述第三晶体管宽长比的N倍;

所述第三晶体管的漏极与所述电流源连接,所述第三晶体管的源极用于与工作电压连接,所述第三晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极以及所述第四晶体管的栅极连接;

所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接,所述第四晶体管的源极用于与所述工作电压连接,所述第四晶体管的漏极与所述第一电流镜的输出端连接。

6.根据权利要求5所述的延时电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS晶体管,所述第三晶体管和所述第四晶体管为PMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于,所述开关元件配置为所述延时电路工作时断开,所述延时电路不工作时导通。

8.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中的任意一项所述的延时电路。

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