[发明专利]存储装置和存储系统有效

专利信息
申请号: 201710096000.X 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN107305791B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 林惠镇;李承宰;朴一汉;李康斌 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44;G11C16/34
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;陈晓博
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 存储系统
【说明书】:

提供了存储装置和存储系统。所述存储装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;计数电路,配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果;以及控制逻辑,配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。

本申请要求于2016年4月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0048952号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的至少一个示例实施例涉及一种存储装置,更具体地,涉及一种非易失性存储装置以及一种包括所述非易失性存储装置的存储系统。

背景技术

存储装置用于存储数据,并可分为易失性存储装置和非易失性存储装置。易失性存储装置在供电中断时丢失其存储的数据。然而,非易失性存储装置即使在供电中断时也保留数据。

作为非易失性存储装置的示例的闪存系统广泛应用于例如通用串行总线(USB)驱动器、数字照相机、移动电话、智能电话、平板电脑、个人计算机(PC)、存储卡或固态驱动器(SSD)中。

包括在非易失性存储装置中的多编程存储单元的阈值电压可因诸如保持、浮栅耦合或随时间的电荷损失的各种原因而改变。这些改变可降低读取的数据的可靠性。由如上所述的各种原因引起的阈值电压的改变将在下面被称为“退化”。

发明内容

发明构思的至少一个示例实施例提供了一种存储装置和包括该存储装置的存储系统,在所述存储装置中如果在数据中生成不可校正的错误则在存储装置中执行数据恢复操作。

根据发明构思的至少一些示例实施例,提供了一种存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;计数电路,配置为对从所述多个存储单元读取的数据执行计数以提供计数结果;以及控制逻辑,配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数电路的计数结果执行数据恢复操作。

根据发明构思的至少一些示例实施例,提供了一种存储系统,所述存储系统包括存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元;计数电路,配置为对根据正常读取操作读取的数据执行计数并提供计数结果;控制逻辑,配置为基于计数电路的计数结果执行数据恢复操作;以及存储控制器,配置为控制存储装置,其中,存储装置将就绪/繁忙信号输出至存储控制器,并且基于计数结果在正常读取操作之后的第一部分期间保持繁忙状态。

根据发明构思的至少一些示例实施例,一种存储装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;计数电路,配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果;以及控制逻辑,配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。

根据发明构思的至少一些示例实施例,一种存储系统包括:存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元;计数电路,配置为通过对根据正常读取操作读取的数据执行计数操作获得计数结果;控制逻辑,配置为基于计数结果执行数据恢复操作;以及存储控制器,配置为控制存储装置,其中,存储装置将就绪/繁忙信号输出至存储控制器,并且在正常读取操作之后的第一部分期间基于计数结果保持繁忙状态。

根据发明构思的至少一些示例实施例,一种存储系统包括:存储装置,包括多个非易失性存储单元;以及存储控制器,所述存储控制器配置为命令存储装置以向存储装置发送读取命令,存储装置配置为通过如下方式响应读取命令:从所述多个存储单元中指定具有在一个或更多个第一阈值电压分布区域内的阈值电压的单元为退化单元,确定退化单元的总数,基于确定的总数和第一阈值确定在所述多个存储单元中的错误的数量是否超过错误阈值,响应于在所述多个存储单元中的错误的数量超过错误阈值的确定来执行数据恢复操作。

附图说明

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