[发明专利]存储装置和存储系统

权利要求书

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元；

计数电路，配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果；以及

控制逻辑，配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行包括数据复原读取操作和软判决数据生成操作的数据恢复操作，

其中，控制逻辑配置为：

通过将计数结果和参考值进行比较生成比较结果以确定所述多个存储单元中的错误是否是可校正的，

基于比较结果执行用于数据恢复操作的恢复算法，

将就绪/繁忙信号输出至存储控制器，并且

在数据恢复操作期间将就绪/繁忙信号保持在繁忙状态，

其中，控制逻辑配置为：

如果计数结果小于第一参考值，则校正使用具有读取电平的读取电压从所述多个存储单元读取的数据的错误，并将校正后的数据输出到存储控制器；

如果计数结果大于第一参考值，则使用具有用于数据复原读取操作的改变的读取电平的读取电压来读取数据；和

如果使用具有改变的读取电平的读取电压读取的数据是不可校正的，则使用具有用于软判决数据生成操作的改变的读取电平的读取电压从数据生成软判决数据，并将软判决数据输出到存储控制器。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，计数电路配置为基于第一数据和第二数据计算属于在第一读取电平和第二读取电平之间的分布区域的存储单元的数量，第一数据是基于第一读取电平读取的数据，第二数据是基于第二读取电平读取的数据。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，计数结果与存储单元阵列的退化单元的数量匹配。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制逻辑确定所述多个存储单元中的错误是否是可校正的而不执行错误校正码。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，控制逻辑配置为，

将计数结果和第一参考值进行比较，

如果计数结果大于第一参考值，

将所述多个存储单元的错误确定为不可校正的，

基于所述多个存储单元的错误为不可校正的所述确定执行数据恢复操作。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，从所述多个存储单元读取的数据是根据对第一页执行的正常读取操作读取的数据，

控制逻辑配置为通过如下方式执行数据复原读取操作：

读取与第一页相邻的第二页的数据，

通过基于读取第二页的数据的结果将读取电压的电平设定为改变的读取电平来确定读取电压，

使用具有改变的读取电平的读取电压重读第一页的数据。

7.根据权利要求4所述的存储装置，其中，控制逻辑配置为，

将计数结果与第一参考值和比第一参考值大的第二参考值进行比较，

当计数结果大于第一参考值且不大于第二参考值时，执行数据恢复操作，

当计数结果大于第二参考值时，将指示所述多个存储单元的错误是不可校正的信息输出至存储控制器。

8.根据权利要求1所述的存储装置，

其中，控制逻辑配置为分别基于第一读取电压电平和第二读取电压电平执行第一读取操作和第二读取操作，

其中，存储装置还包括：

页缓冲器，配置为，

存储根据第一读取操作的第一数据和根据第二读取操作的第二数据，

对第一数据和第二数据执行算术运算，

将算术运算的结果作为读取数据提供至计数电路。