[发明专利]像素结构

说明书

本发明公开了一种像素结构，包含数据线、第一主动元件、第二主动元件、第一辅助电极及第二辅助电极。第一主动元件及第二主动元件分别包含第一漏极及第二漏极。第一辅助电极及第二辅助电极分别与第一漏极及第二漏极直接连接，其中数据线位于第一辅助电极与第二辅助电极之间。

技术领域

本发明是关于一种像素结构。

背景技术

于各式消费性电子产品之中，应用薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。液晶显示器主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成，薄膜晶体管阵列基板包含多个像素结构，薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管，以及与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极。此外，薄膜晶体管阵列基板上也会设置金属层，以做为数据线或扫描线。

然而，若寄生电容产生于像素结构中，像素结构的效能可能会受到此寄生电容的影响。再者，当像素结构内的元件因制程变异而与原设计间产生差异时，所产生的寄生电容的影响效果可能将更大，并进而影响液晶显示器的显示品质。

发明内容

本发明的一实施方式提供一种像素结构，包含数据线、第一辅助电极、第二辅助电极及像素电极，其中数据线、第一辅助电极及第二辅助电极可通过同一道制程形成。第一辅助电极及第二辅助电极分别位于数据线的左右两侧。于像素结构运作时，第一辅助电极及第二辅助电极可分别与数据线产生耦合电容，且此耦合电容的量值大于像素电极与数据线产生的耦合电容的量值。因此，通过第一辅助电极及第二辅助电极与数据线所产生的耦合电容，即使像素电极的形成位置产生偏移并造成其与数据线的耦合电容量值产生变化时，数据线与其两侧的带电层体结构的耦合电容差异值仍落在可允许的范围之内，从而防止液晶显示器产生亮暗线的现象。

本发明的一实施方式提供一种像素结构，包含数据线、第一主动元件、第二主动元件、第一辅助电极及第二辅助电极。第一主动元件及第二主动元件分别包含第一漏极及第二漏极。第一辅助电极及第二辅助电极分别与第一漏极及第二漏极直接连接，其中数据线位于第一辅助电极与第二辅助电极之间。

于部分实施方式中，数据线与第一辅助电极之间的水平距离约等于数据线与第二辅助电极之间的水平距离。

于部分实施方式中，像素结构更包含第一像素电极及第二像素电极。第一像素电极位于第一辅助电极之上。第二像素电极位于第二辅助电极之上，且第一像素电极与第二像素电极分别位于数据线的相对两侧。第一辅助电极与第二辅助电极之间的最小水平距离小于第一像素电极与第二像素电极之间的最小水平距离，其中第一像素电极与数据线之间的最小水平距离异于第二像素电极与数据线之间的最小水平距离。

于部分实施方式中，像素结构更包含第一遮光层及第二遮光层。第一辅助电极至少位于第一遮光层上方。第二辅助电极至少位于第二遮光层上方，且第一遮光层与第二遮光层之间的水平距离小于第一辅助电极与第二辅助电极之间的水平距离。

于部分实施方式中，像素结构更包含第三主动元件。第三主动元件包含第三漏极，其中数据线与第二主动元件及第三主动元件电性连接，且第二主动元件的第二漏极与第三主动元件的第三漏极分别位于数据线的相对两侧。

于部分实施方式中，数据线沿第一方向延伸，且第二主动元件与第三主动元件沿第一方向连续排列。

于部分实施方式中，像素结构更包含第一绝缘层及第二绝缘层。数据线、第一辅助电极及第二辅助电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于数据线、第一辅助电极、第二辅助电极及第一绝缘层之上。

于部分实施方式中，像素结构设置于基板上，且第一像素电极于基板的垂直投影与第一辅助电极于基板的垂直投影至少部分重叠，且第二像素电极于基板的垂直投影与第二辅助电极于基板的垂直投影至少部分重叠。

附图说明

图1A为依据本发明内容的第一实施方式所绘示像素结构的上视示意图。